南韩政府携手三星与海力士 研发MRAM芯片

存储器 中国闪存市场 Helan 2009-11-27 07:51
根据韩联社(Yonhap)报导,南韩政府宣布,已与半导体厂三星电子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作,进行磁性随机内存(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研发项目,以维持南韩在半导体产业的领先地位。
南韩知识经济部半导体与面板部门首长Park Tae-sung表示,一旦STT-MRAM研发完成,南韩于2015年将可掌握大约45%的30奈米制程内存芯片市场,并预估该市场于2015年将有530亿美元的产值。Park也指出,此项共同研发项目将让南韩拥有基础技术,支持南韩在半导体产业续保世界级的竞争力。
政府计划负担该合作项目一半的成本,为240亿韩元(约2,080万美元),另外一半将由三星与海力士共同出资。南韩政府表示,研发中心目前已安装12吋(300mm)磁性薄膜沈积系统(Magnetic Thin Film Deposition System)以及其它芯片制造设备,优于日本竞争对手研发STT-MRAM时所使用的8吋(200mm)沈积系统,预期将让南韩在研发脚步上领先。

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