DRAM和NAND Flash产业往年每到年底,价格都会开始下跌,上下游都不会被太多库存在手,尤其是NAND Flash价格季节性反应尤其明显,每年11月价格会开始大跌,一直跌到来年的第1季苹果(Apple)出手备货才会开始反弹;
近期DRAM市场表现相当活络,相当出乎业界预料,台DRAM厂指出,在传统淡季的年底没有利空,其实就是最大利多,因此,对于2010年第1季DRAM前景相对乐观.
因需求回温,近两天DRAM现货价持续飙涨,累积涨幅近一成,由于品牌厂拉货,预期至12月底都还将持稳,DRAM厂业绩表现仍佳。
DRAM大厂纷传喜讯!受惠于晶片价格上扬,美国记忆体大厂美光终于扬眉吐气,本会计年度第1季(至12月3日止)财报转亏为盈,写下近3年来首度获利,该季营收和获利双双超越华尔街分析师的预期。
外电报导,ThinkEquity LLC分析师Vijay Rakesh 23日以NAND型快闪记忆体(NAND Flash)全球价格趋势优于季节性趋势、通路库存偏低为由,将快闪记忆卡大厂SanDisk Corp.的投资评等由「观望」调高至「买进」。
美国DRAM大厂美光季报由亏转盈,激励昨日台股DRAM族群群起大涨,其中,南科(2408)、华邦电(2344)攻上涨停板作收最强,华亚科(3474)也有逾5%涨幅。
有别于硬碟是采磁性技术进行资料储存,整体采大量机械结构运行,反观SSD为利用半导体技术,将资料储存在 NAND Flash快闪记忆体里,技术上具备低功耗、小体积、耐摔抗震...等技术优势,整体特性更适合应用于笔记型电脑、可携式电子产品中应用.
内存封测厂力成科技看好2010年第1季淡季不淡,有机会维持与第4季产能满载的荣景,且Flash接单力道强于DRAM。
大和证券研究报告,维持“正面”看待记忆体产业,预估2010年将走入循环性复苏,且首选南韩三星、海力士以及台湾的DRAM厂南科(2408)。
动态随机存取内存(DRAM)厂力晶半导体董事会今天决议,将自合作伙伴尔必达买回合资成立的瑞晶电子股份,但有关买回的数量及金额仍待与尔必达协商。
全球内存大厂三星近来积极增加品牌SSD以及Flash卡的营销与广告预算,创见是三星在台湾以及澳洲市场的唯一代理商,预期创见将因三星品牌产品的价格溢价空间扩大而受惠。
由于季节性因素,预期明年1月DRAM价格会小幅回档,但只要撑过第一季,第二季起将没有乌云,华亚科(3474)第一季就将顺利转亏为盈。
2010年全球DRAM厂资本支出将增加至78.5亿美金,较今年仅43亿美元年成长达80%,包括台湾DRAM大厂南科、华亚科以及日系厂商尔必达都将进行扩产的动作,预料后段的封测厂包括力成(6239)、华东(8110)、福懋科(8131)等亦将跟着受惠。
DRAM现货价止跌反弹,单日涨幅逾3%,支撑本月下旬合约价维持平盘。现货价反弹以及合约价持稳,对力晶(5346)南科(2408)华亚科(3474)等厂商营运有利。
目前个人计算机(PC)搭载内存 平均容量成长16%至2.92GB,未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB,市场对于后市看法相当乐观