ipad公司对快闪记忆体需求的推升,记忆体供应吃紧等种种因素下,南韩业者及市场分析机构皆对2010年半导体市场抱持乐观态度,下季记忆体晶片价格将可在淡价持平甚至走升。

记忆体产业今年受到浸润式机台严重缺货以及制程转换不顺利等影响,下半年产出可能不如预期来的多,供需吃紧状况会一直延续下去。

今年DRAM产业是否有整并的机会。高启全指出,DRAM产业在经历过去年的DRAM产业风暴后,未来将是“各自努力”的一年,不过,在产业已经没有多余心力扩产的情形下,供需将趋向平衡,看好未来两三年DRAM产业将会有不错的发展。

英特尔说消费者能用这款SSD,作为桌电既有硬碟配备的补充,组成一个dual-drive或boot drive系统。英特尔表示:“在双硬碟系统中SSD可用来放置作业系统和最常用的应用软体,以发挥其速度效能优势。”

台湾证券交易所与美银美林集团于3/16-3/17,举办第13届“台湾产业暨科技高峰论坛”,整个论坛总计规划了3500场以上的会议,超过400位投资人出席。

英特尔15日宣布推出售价125美元的平价固态硬碟,可内建于小笔电或作为SSD /HDD双硬碟桌上型电脑(DT)的开机磁,让客户能以可负担的价格享受固态硬碟的运算效能与可靠优势。

日本DRAM龙头厂商尔必达(Elpida Memory Inc.)的35奈米DRAM架构设计工作已完成,预计在2010年底前付诸量产,新制程足以令每片晶圆生产的晶片数量增加40%。

近期晶圆代工产能吃紧的效应,已逐渐影响到NAND Flash控制芯片产业,且这样的情况在第2季恐会更加恶化。若第2季NAND Flash控制芯片供货不足,恐影响到各大厂NAND Flash芯片的出货状况,进而影响到NAND Flash价格走势。

近期DRAM市场供需缺口持续扩大,戴尔(Dell)、华硕、Sony等PC大厂抢货可说是抢到人仰马翻,由于向国际DRAM大厂要不到货,纷转而寻求台系DRAM厂支持,且不惜下3个月长单绑住货源,这种情况在过去相当罕见。

DRAM厂没有资金扩充新产能,DRAM厂只能依赖制程微缩来增加产出,但最大问题是,2010年各厂都陆续转进50奈米和40奈米,根据历史经验,转换制程不顺的情况陆续会发生,因此2010年就在这样的情况下,DRAM供给持续吃紧,也使得价格是淡季不淡。

根据合约大厂南科 (2408)本月份最新出炉的DRAM合约价显示,DDR3整月预计调涨6至10%,而DDR2由于目前更吃紧,涨幅比DDR3还大,达10%,使得目前1Gb的DRAM合约价一举近逼3美元,改写今年的DRAM价格新高。

农历年后回补库存效应持续,DRAM涨势从DDR2蔓延至DDR3,上周五DDR3现货价大涨逾2%,最高价格逼近3美元大关, 力晶(5346)、南科(2408)、华亚科(3474)股价均开高。

传出引发三星电子(Samsung Electronics)和Sony等液晶电视大厂抢破头,积极寻求台系NOR Flash厂商奥援,甚至因为缺货导致SPI Flash价格上涨,估计从2月到第2季价格涨幅恐直逼30%。

创见信息(2451)董事长束崇万表示,预期今年不论是DRAM或NAND FLASH价格应都是稳定状态,上游的DRAM厂可修养生息,下游模块厂的竞争则会扩大。

DRAM市况再度酝酿多头走势,主角由前波领涨的DDR2转至DDR3。现货市场DDR3均价大涨近4%,创近二个月来单日最大涨幅,有助力晶(534)、创见(2451)、威刚(3260)等与现货市场走势高度相关业者营运。

简讯快报

更多