尔必达传35奈米DRAM设计已完成 年底可付诸量产

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-03-16 10:38
日本DRAM龙头厂商尔必达(Elpida Memory Inc.)的35奈米DRAM架构设计工作已完成,预计在2010年底前付诸量产,新制程足以令每片晶圆生产的晶片数量增加40%。报导指出,尔必达甫于2009年12月开始量产45奈米制程的DRAM。尔必达的35奈米DRAM为DDR3晶片,可储存的资料容量达2 Gb。
南韩记忆体龙头厂商三星电子(Samsung Electronics Co.)在2月份完成35奈米DRAM的研发,计划于今年开始量产工作。
据调查,3月初上修今年全球半导体市场年增率的预估值,预估今年全球半导体市场年增率达27%(原先估年增率仅15%)。IC Insights认为,近期DRAM市场逐步显现的强劲复苏力道,预估今年DRAM市场规模年成长将高达74%。
 

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多