DRAM业(动态随机存取记忆体)第一季出现罕见的淡季不淡市况后,主流产品DDR3现货价本周有机会涨逾3美元;DDR3第二季在需求仍旺带动下,产能将持续吃紧,价格续上涨有望,法人预期DRAM业 Q2单季会赚更多。

Intel 推出最新高效能固态硬碟 Intel X25-V Value SATA SSD ,卖点为经济实惠的入门级价位,备有高达 40 GB 的容量,售价却更低至 USD$125 起,专为价格相宜的行动电脑及双磁碟/开机磁碟配置的桌面电脑而设。

未来大联大将面临5大记忆体代理线包括三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、海力士(Hynix)、东芝(Toshiba)等同在集团下

记忆体模组厂威刚宣布与全球资讯产品代理商Ingram Micro签约,进军印度市场。

自农历年过后以来,Nor Flash市场在生产端供给持续趋紧下,产品报价也因此出现一波涨势,也使得该产品营收占比达55%的IC通路商倍微(6270)跟着同步受惠;该公司3月业绩将可望创18个月新高、缔造金融海啸以来的业绩高峰水准。

继DDR2 1Gb现货价创下2年多来新高价后,利基型DRAM价格也同步走扬,DDR 256Mb及512Mb价格同创今年新高,3月来涨幅逾1成。

随着DDR2供给量逐渐减少,现货价则是越涨越高,DDR2 1Gb eTT有效测试颗粒价格与品牌颗粒同步再涨近1%,分别以2.73美元、2.74美元,再创新高。

在需求紧俏的激励下,NOR Flash快闪记忆体3月起价格喊涨,平均涨幅超过1成之多,其中国内龙头厂旺宏(2337)透露涨幅超过15%,华邦电子 (2344)也坦言的确有涨价,依照产品不同,涨幅也不一样,而在涨价激励下,将可为旺宏、华邦电带来正面效益。

全球一线主要DRAM大厂全力转进DDR3领域,近2周市场更传出尔必达、三星两家大厂准备停产DDR2,全力转进主流市场,由于DDR2目前在通路市占率仍高达7成,是现货市场主流,受到供应量锐减冲击,DDR2第2季恐将奇货可居,涨势将超过DDR3,有效支撑DRA

顾虑联发科毛利率下滑及3G芯片销售疲弱;同时TD业务不确定性以及因NOR Flash供给趋缓缺导致MT6253芯片出货有压力,因此该券商仍旧维持联发科(2454)持有评等,目标价亦维持552元。

DDR3跃为DRAM主流产品,各大厂纷纷改生产DDR3,产能移转带动DDR2缺货,昨DDR2现货均价全面上涨约4%,DDR3也稳定上扬,DRAM类股受外资法人看好的南科(2408)、华亚科(3474)昨盘中涨停。

近期DRAM供货吃紧情况遍及DDR2和DDR3,但2者吃紧原因不同,DDR2由于是旧规格产品,终端需求自然不会太强,但因为DRAM厂生产的比重已逐渐减少,因此DDR2是供给端减少所驱动的供货吃紧;

目前业者对于第2季看法仍乐观,由于DRAM供给增加幅度有限,不会有太多货源进场搅局,不过,部分DRAM厂第1季仍将处于亏损状态。

在个人计算机(PC)成长需求复苏,并持续增长的情况下,市场机构纷纷预测从2010年下半开始到2011年,DRAM都会呈现供不应求的情况。

最新3月18日报价指出,恐将面临缺货的DDR2的现货价再度领涨,DDR2 1Gb品牌颗粒价格单日飙涨3.06%,来到2.69美元;DDR2 1Gb eTT有效测试颗粒价格也呈现大涨3.08%,收2.67美元;

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