由于本周内存/闪存芯片的现货市场需求量有所下滑,因此各大存储芯片厂商均对这些产品的现货价格进行了调整。 其中1Gb密度DDR2内存芯片产品的现货价格下调了5-6%,均价于4月30日下午达到2.62美元价位;

内存控制芯片大厂慧荣公布2010年第1季财报,出货量8,400万颗,较上季增加20%,Non-GAAP税后亏损19万美元,每单位稀释之美国存托凭证亏损为0.01美元。

内存产业景气从地狱攀升至天堂,度过亏损连连的日子后,各厂开始抓紧机会抢钱募资,从DRAM厂、NOR Flash厂到内存IC设计公司等,都将募资案列为2010年股东会的必备议案。

存储器模块厂靠DRAM模块起家,之后适时掌握NAND Flash大崛起的商机,成功搭上快闪记忆卡、随身碟产品线崛起的商机,接上原本因为个人计算机(PC)产业成长力道趋缓,因此续行力道不足的DRAM模块,现在每1家存储器模块厂的2大营运支柱都是DRAM模块和

台系DRAM厂力晶、南亚科和华亚科陆续公布4月营收,力晶达新台币75.31亿元居冠,且较上月营收成长10%,同时也正式宣布开始向瑞晶拿货;南亚科和华亚科4月营收则是持盈保泰,南亚科维持在52.21亿元水准,较上月小幅减少1%。

先前威刚(3260)董事长陈立白指出,预估到第二、第三季,DRAM的缺货状况都无法改变,而仁宝(2324)总经理陈瑞聪日前在法说会上更表示,不只第三季没有好转迹象,估DDR3缺货还可能持续到第四季。

上周DRAM价格回档整理,今早现货价止跌反弹;目前现货价仍高于合约价约7~8%,有利于支撑合约价续稳,DRAM厂本季营收仍不淡。

顶级内存/闪存芯片厂商三星公司近日宣布由于Intel至强5600系列新处理器的出炉,刺激服务器厂商对DDR3内存的需求量大增,因此公司将增加 40nm制程DDR3内存芯片的产能。

传承科技提供分析NAND Flash 的解决方式,采用高级算法分析各芯片,并透过组合将其数据重组与修复成原来的结构,并且不伤原结构里的所有数据,可算是半导体储存技术一大突破。

DRAM 价格走扬,带动全球第1季DRAM产值持续攀高至92.77亿美元,较去年第4季再成长6.9%;其中,韩国三星市占率达32.3%,稳居全球DRAM龙头宝座。

根据最新报价,DDR3合约季均价与现货季均价继去年第四季分别大涨40%与30%后,今年首季分别续涨16%与14%;DDR2合约季均价与现货季均价2009年第四季分别大涨61%与68%后,今年首季淡季不淡。

三星2011年期望提供LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)和次世代PRAM基盘的高性能解决方案,预估PRAM市场规模2010年约为1,000万美元,2013年将可快速成长到NOR Flash市场3分之1水平的5.5亿美元

劲永公布2010年第1季财报,单季合并营收达新台币76.67亿元,不但较2009年同期大幅成长135%,每股税后也交出0.83元成绩单,主要是受惠第1季DRAM价格上扬,而NAND Flash需求平稳所致,劲永2010年也预计要发放现金股利0.5元。

NAND Flash方面,也因为产能利用率相当高,加上成本管理佳,表现比预期好。展望第2季,虽然因首季表现垫高基期,然第2季营收还是可以维持成长,毛利率将与首季持平。

相变化存储器PRAM(Phase Change RAM)是下世代存储器技术产品,组成元件包括锗、锑、钛等材料,利用其相变的特性来储存资料数据,具有低功耗和高速读写的特性,但不耐热是缺点。

简讯快报

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