三星:PRAM内存2013年达NOR Flash 3分之1规模

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-04-30 09:16
三星电子(Samsung Electronics)副社长全东守表示,次世代内存PRAM(Phase-Change RAM)的新产品,已开始被使用在各种机器上。以此产品为出发点,三星2011年期望提供LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2)和次世代PRAM基盘的高性能解决方案,预估PRAM市场规模2010年约为1,000万美元,2013年将可快速成长到NOR Flash市场3分之1水平的5.5亿美元规模。
PRAM为相位变化内存,可替代目前的NOR Flash。三星在各项产品上皆有优秀表现,惟独NOR Flash表现居恒忆公司(Numonyx)之后,因此三星此次欲以量产PRAM,在内存领域中攀升为第1位。
三星表示,此项量产产品为512Mb PRAM MCP,将作为储存手机OS操作系统的用途。
继2008年底Numonyx推出128Mb PRAM之后,三星是第2家进行量产的企业,在市面上的PRAM中属容量最大。采用65奈米制程量产的512Mb PRAM MCP支持与NOR flash同样的动作模式,手机制造商可以立即替换原有的NOR Flash,搭载PRAM到手机里。
此产品较NOR Flash速度快3倍,多媒体简讯服务(MMS)、手机拍照、摄影等数据储存到手机的时间也大幅减少。
三星本次以稳定的技术开拓1Gb以上大容量、高性能的PRAM产品群,除手机外,欲扩大使用到MP3播放器、PMP、航运等移动式机器,还有SSD(Solid State Disk)、数字电视等各种产品。

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