全球DRAM模块龙头美国金士顿创办人孙戴维昨天在台表示,DRAM厂的制程转换技术门坎不低,再加上智能型手机等新的应用产品,带动DRAM需求,他认为下半年的DRAM市况应该会好。
劲永(6145)董座吕采妮说,手机内建的记忆卡高容量32G、64G的部分,则预料要等到7月份之后,尤其苹果产品需要高容量NAND Flash,几乎包下三星所有产能,在NAND Flash新产能尚未开出下,第三季高容量NAND Flash的市况将会明显好转。
未来3年记忆体产业,以Mobile DRAM最具强劲成长力道,预料到2011年,智慧型手机将占全球手机市场22%,可以大举推升Mobile DRAM 512 MB的需求;至于绘图型DRAM的成长走势则会开始减弱。
台系模块厂包括创见、威刚、劲永、宇瞻、博帝等都将参展,展示USB 3.0相关产品和DDR3模块、SDXC记忆卡、固态硬盘(SSD)、HD媒体播放器等新产品;
利基型内存(SDRAM)IC设计公司力积总经理陈冠州表示,2010年以来SDRAM平均价格涨幅约20%,反映市场供不应求的情况,第2季晶圆代工涨价幅度可逐渐趋缓,毛利率状况可维持稳定。
目前12吋晶圆厂不论在标准型DRAM或是代工业务如LCD驱动IC芯片、SDRAM产品上,产能都相当吃紧,未来DRAM业者在转制程和盖新厂上,会因为财务问题而放缓脚步,因此短期内不担心供过于求的问题。
个人计算机及手机第三季下修出货目标杂音四起,让近期内存买盘驻足观望,DDR3 1Gb现货价每颗跌到2.55美元,创今年新低。
陈冠州表示,消费性DRAM未来具有高度成长性,根据预估,2008年到2010年,消费性DRAM的位元年复合成长率高达55%,不单是电脑周边产品包括DVD、STB、游戏机、硬碟机、印表机等的需求量攀升。
由于厂商扩产的动作非常积极,而需求成长速度有限,DDR3合约价有可能在年底跌到2美元,说不定会比DDR2更便宜。
动态随机存取记忆体(DRAM)制造厂力晶半导体(5346)总经理王其国表示,随着技术难度增加,制程技术推进速度放慢,预期下半年DRAM市况可望平稳。
继三星宣布大增资本支出,DRAM二哥海力士跟进调升2010年的资本支出三分之一,至3.05兆韩元(25.5亿美元)。海力士并未宣布何时投产,但在DRAM前两大厂相继宣布增产,预期一年半后,即2012年市场供给将明显增加。
受到淡季影响,上周五(5月28日)DDR3现货价跌幅加大,DDR3 1Gb品牌颗粒价格下探2.55美元,为今年以来低点,使得6月合约价出现压力,不过DRAM业者多半看好下半年的传统旺季,认为价格表现不会太悲观。
NOR Flash业者宜扬总经理陈伯苓表示,目前NOR Flash产业供给吃紧问题仍是相当严重,公司不担心订单,反倒是担心产能不足的问题,预计第3季会有新产能加入,届时可望纾缓此问题;
韩国三星电子决定扩厂,外界担心对台湾记忆体厂冲击不小,对此,电电工会理事长焦佑钧认为,DRAM业本来就是三年景气、三年不景气,在现在供不应求情况下,对于某一家厂商扩厂的动作,不需要特别看待。
去年全球模组市场总销售金额为67亿美元,较前年59亿美元成长约15%左右。展望今年,估今年记忆体的位元成长率约53%,DRAM颗粒价格将维持稳定,模组厂也将不会因为颗粒价格的剧烈波动而蒙受损失,营运风险也相对降低。