韩国DRAM大厂拼扩产 2012年市场供给将大增

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-05-31 11:43
继三星宣布大增资本支出,DRAM二哥海力士跟进调升2010年的资本支出。海力士并未宣布何时投产,但在DRAM前两大厂相继宣布增产,预期一年半后,即2012年市场供给将明显增加。
DRAM龙头三星电子刚于5月17日宣布,该公司2010年资本支出将达到创纪录的18兆韩元(159.3亿美元),其中有11兆韩元将投资在半导体,5兆韩元将投资在液晶面板上面。
海力士在今(31)日也宣布调高今年资本支出,调幅达三分之一,总金额3.05兆韩元(25.5亿美元),约为三星电子半导体部门11兆韩元资本支出的五分之一。
海力士并未公布资本支出投资内容以及投产时间表;若按照三星规划于明年第三季投产,明年第四季小量产出,后年新增产能量产,加上美光联盟的南科(2408)、华亚科(3474)今、明年相继提升制程至50、40纳米,以及尔必达、力晶(5346)今明年转进63、40纳米,逐步增加产出,都将使得DRAM市场整体供给逐步增加,最快2012年面临供过于求的危机。

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