展望今年,华邦电总经理詹东义有信心的说,华邦电已经成功转型,不再着墨标准型DRAM,现在旗下三大产品线包括特殊型DRAM、NOR Flash以及Mobile RAM等都有赚钱,而且也非常缺货。

预测其2011年EPS可上升到0.66-0.82元之间。而南亚科、华亚科和力晶则因资本支出增加或是在奈米制程技术移转上的风险,目标价各遭调降至26元、23元与4元,其中首推华邦电。

内存模块厂对于近期DRAM价格发出声音,创见董事长束崇万表示,现在DRAM芯片太贵了,如果能回到2美元,终端需求肯定会更 好,至于NAND Flash现阶段价格是对上游厂、模块厂、消费者3方都好,若再涨价就会抑制需求。

拉抬一直疲弱不振的NAND Flash买气,苹果改采分批购买的策略,导致NAND Flash价格始终载浮载沉,如今即将进入传统旺季,苹果采购的力道有加强,但市场仍是希望能更强劲一点,为NAND Flash市场带来一点生气。

在费城半导体指数强势表现带动下,昨天台股DRAM族群全面发动攻势,其中,南科(2408)盘中最高差一档攻上涨停,华亚科(3474)也有超过5%的涨幅,成为族群领攻指标。

华邦电(2344)受到NOR Flash景气超过预期激励,二度追加今年度资本支出达81亿元,由于华邦电目前股价仍低于9.4元每股净值,在景气明朗之际,后续股价值得留意。

个人电脑市场和代工厂库存重建的需求持续强劲,使DRAM价格水准高于预期,而iPad和新款Android平台智慧型手机也提振NAND Flash记忆体的需求成长。

展望景气动能,利机表示,受惠于动态随机存取记忆体(DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)产品市场需求持续热络,因此带动利机记忆体模组基板(MMB)及记忆卡基板(FMC)今年以来出货大幅成长,第 1 季营收达3.1亿元,较去年同期成长50%;

三星推出首款采用toggle-mode DDR NAND记忆体技术的512GB高速固态硬碟(SSD),可提高笔记型电脑运算效能与可靠度。

6月已经没有见到5月发生的降低库存砍单现象,DRAM供应至第3季持续紧俏,NAND Flash价格至年底前预料会维持平稳,然而,半导体产业虽然维持中立评级,但因下半年能见度低,是否已经快来到景气转折点仍待观察,密切注意终端需求是否有所改变的迹象。

欧美市场景气前景不明,DRAM厂和PC系统厂已经连续2个月上演合约价拔河大赛,但6月上旬出炉的合约价中,透露DRAM价格开始松动迹象,DDR2模组价格下滑2~4%, DDR3模组报价也持平到小跌2%;

群联董事长潘建成指出,第3季NAND Flash产业前景值得期待,消费性系统大厂备货动作持续,这波NAND Flash市场的动能需求将从OEM和内嵌式记忆体产品蔓延至现货市场。

6 月上旬动态随机存取内存 (DRAM)合约价出炉,随着个人计算机代工厂库存增加,DDR2及DDR3颗粒价格全面走跌。

群联电子是全方位NAND Flash解决方案公司,成立于2000年11月,第1项产品是USB闪存随身碟单芯片控制IC,之后跨足到随身碟成品供货商,以及快闪记忆卡控制芯片和成品领域,提供给品牌客户和白牌客户各项NAND Flash相关产品。

SanDisk在笔记型电脑市场甚至可望有更多的发展潜力,主因基于NAND型快闪记忆体的固态硬碟(SSD)势将替代笔电内的硬碟,以便节省电力、空间并加快开机速度。

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