日本DRAM龙头尔必达(Elpida Memory, Inc.)24日发布新闻稿指出,该公司已完成运用铜导线(产品名为EDW2032BABG)研发2Gb GDDR5(绘图内存)50奈米制程的工作,此为首款由尔必达设计的绘图DRAM。
由于浸润式机台交期长达9个月,加上40奈米制程还需要学习曲线,DRAM厂看好40奈米制程爆发力,将在明年展现,全球获利将达巅峰。
DRAM龙头厂三星已经成功突破技术瓶颈,顺利转进46奈米,国内DRAM厂商也都以导入4X奈米为下阶段目标,虽然因为浸润式机台严重缺货、交期递延,不过预料包括台塑集团、力晶、瑞晶都将计划在下半年开始转换投入4X奈米,至于茂德的时间表则是在明年下半年。
南科(2408)发言人白培霖表示,南科今年会一季比一季还好,42奈米将在本月试产,进度提前一季,另外,8月份所有DRAM产品将会100%转进2Gb DDR3,因此预估第三季位元的季成长幅至少达20-30%以上。
利基型内存(SDRAM) IC设计公司钰创营运布局不但开始跨出内存市场,2010年还正式进入USB 3.0领域,惦惦吃三碗公的速度已成为台湾第1家推出以自有技术成功研发USB 3.0 Host端控制芯片的业者;
记忆体产业今年呈现大好光景,除了PC换机潮的需求力道强劲之外,记忆体业者近来纷纷点名3D TV将是未来的明星产品,潜力可期,因为不论是标准型DRAM到NOR Flash(快闪记忆体)、SDRAM等都可以在3D TV身上看得到。
由于NOR Flash景气较预期为佳,各大厂的动作频频。华邦电(2344)将在今、明2年追加17.05亿元资本支出,今年占6亿元,2010年资本支出已经2度追加至81亿元,为近几年之最。
利基型内存与行动内存产品,尽管6月淡季提前来临,但市场仍平稳,预估7月持平,不过供需吃紧下,预期8、9月旺季产品价格可望再掀涨势,涨幅约1成,需求热度可延续到11月。
钰创为利基型内存(SDRAM) IC设计公司1991年成立于新竹科学园区,并于1998年于台湾上柜市场公开发行,钰创当时承揽「次微米计划」设计工程,并开发8吋晶圆次微米技术,为台湾的DRAM、SRAM内存产业现在的蓬勃发展奠定深厚基础。
英特尔SSD可令客户现有笔记型电脑、桌上型电脑的游戏、多媒体运算效率提升56%。此外,相较于传统硬碟,SSD耐用度极高,且可靠度、能源效率也极佳。
内存模块厂创见宣布正式加入64GB高容量、Class 10等级的SDXC记忆卡阵营,因应越来越多的长时间Full HD数字摄影需求。
台塑集团旗下的DRAM厂商南科副总经理白培霖透露,预计第三季度试产手机内存芯片、第四季度可量产,将成为带动明年运营增长。
DRAM现货价整理,DRAM股股价表现多半温和,茂德(5387)挟著成功产出首批63纳米1Gb DDR3产品,预计8月量产,盘中股价急拉逾半根停板。
NOR Flash市场供不应求的情况仍然严重,估计市场缺口约20%,第3季的NOR Flash价格仍会持续调涨,甚至对于第4季营运都相当乐观,尤其是华邦在客户策略上,逐渐集中在一线客户之后,受到全球景气波动的影响相对较小。
全球DRAM产业首季营收比前1季成长8.8%,根据iSuppli的资料,前5大DRAM厂约占全球整体DRAM产业营收的91%,前2大厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix Semiconductor)总共占了50%。