昨(26)日挡下力晶、南亚科两大DRAM厂增资案,前者是负债比过高而被退件,后者是去年现增执行效果欠佳而被暂停申报生效。影响所及, 昨日力晶股价跌停,南亚科亦下跌;

近月 DRAM 价格持续回落,DDR2 和 DDR3 记忆体模组期货价格于 7 月下旬均录得进一步下调,其中 DDR2 记忆体模组订单更有明显跌幅,意味 DDR3 将逐渐全面取替 DDR2 记忆体模组。

记忆体模组股威刚科技(3260)公布上季自结财报表现不佳,使得上半年税后盈余仅小赚3736万元,今在利空打击下,跳空跌停重挫,拖累族群中的劲永(6145)、创见(2451)等齐步跟弱。

拜智慧型手机市场快速成长之赐,今(2010)年全球行动记忆体(包括NAND、NOR、行动DRAM)销售额预估将成长49.9%至102亿美元,明年可望再成长9.6%至112亿美元。

近期DRAM价格走跌属于自然性跌价,而非恶性竞争下跌,预期8月价格就会上来,维持到10月都会相对稳定,无须过度担心对于近期价格下跌的情况,未来2~3年DRAM产出增加幅度有限,有助于维系产业稳定。

由于DRAM和NAND Flash产业已逐渐成熟,市场遭韩厂寡占,台系内存厂遂积极另辟蹊径找商机, 2010年力晶正式宣布跨足LED产业,成立晶旺光电,预计在大陆设立100条LED磊晶生产线。

之前DRAM价格过高引发系统厂要求降低DRAM搭载率,因此这几个月DRAM价格休息一下是好事,维持此价位对上游 DRAM制造商利润相当丰厚,而MLC型NAND Flash芯片近期有供货吃紧的状态,反应系统厂需求相当旺盛;

三星电子(Samsung Electronics)宣布,2011年将开始量产较既有闪存(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。

DRAM价格自 4月底来一路走跌,致DRAM厂对后市看法分歧;不过,随着DRAM厂制程技术不断推进,产出增加,后段封测厂一致看好下半年营运表现,展望相对乐观。

展望2010年下半,受欧债风暴冲击,为全球经济加入不确定因子,加上以南韩为首的DRAM厂商先进制程转换所增加的产能将大量开出,亦为全球DRAM市场蒙上一层供过于求的阴影。

DRAM大厂上半年财报相继揭露,尔必达阵营的力晶(5346)上半年缴出获利102亿元的财报,与美光阵营的南科、华亚科拉开差距,上半年表现亮眼。

DRAM厂茂德(5387)董事长陈民良23日表示,采用尔必达制程技术所授权生产的DDR3 1Gb将在8月份正式投片,可望为第三季营运带来正面效益。

力晶(5346)董事长黄崇仁23日出席后段记忆封测代工厂华东科技(8110)新厂启用典礼,会后指出,近期DRAM现货市场需求的确较为疲软,不过是自然性跌价,并非恶性竞争跌价,预料8月份就会慢慢好起来,到10月份都应该相对稳定。

DRAM产业对以资讯科技(IT)业为主的台湾相当重要,因为DRAM是IT产品的大脑。他还代DRAM业者向出席周年庆暨新厂启用典礼的施颜祥请命,希望经济部能够继续支持DRAM产业。

尔必达和飞索联盟晋身为全球第5大NAND Flash阵营后,台系记忆体业者包括旺宏、力晶、台湾创新记忆体(TIMC)等对于挑战NAND Flash产业亦跃跃欲试,未来是否能够撼动5大阵营地位,值得进一步观察。

简讯快报

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