在iPhone以及iPad的拉动下,闪存芯片近期需求及价格大幅上升,英特尔、三星、美光、海力士、东芝、SanDisk等闪存芯片主要提供商在当季的销售及利润都超过预期实现大幅增长,从而成为“苹果效应”下的重要受益者。

今年第二季营收在DRAM合约价格稳定上扬及产出持续增加下,全球DRAM产业第二季营收数字达107亿美元(10.70 Billion USD),较首季的93亿美元(9.29 Billion USD),成长约15%。

随着数位影音与网路资讯的迅速发展,使用者对储存容量与读写速度需求亦与日俱增。若按储存装置区分,传统硬碟(Hard Disk Drive;HDD)在储存容量与单位成本具有优势,而固态硬碟(Solid State Drive;SSD)则在读写速度与节能省电方面

美系记忆体大厂美光科技(Micron)再度推出新产品抢商机,宣布推出最新款采用50奈米制程的2Gb DDR2产品,抢搭英特尔为了针对平板电脑和小笔电所推出名为Oak Trail的Atom处理器平台商机;

未来尔必达会获得飞索在NAND Flash技术专利上的授权,有助于尔必达开拓更广的MCP市场的客户;而同时尔必达也将提供产能帮飞索代工NAND Flash产品,未来双方也会将合作关系延伸至NOR Flash产品上。

在NAND Flash方面,蔡笃恭说,用于记忆卡如USB、Micro SD卡的一般Flash市场由于已达成熟,产业呈现以价格策略争取市占率的竞争状态,因此不是健康市场。但是在智慧型手机和平板电脑盛行,激励高阶NAND Flash如固态硬碟(SSD)等需求相

日系尔必达(Elpida)转投资瑞晶上半年税前获利逼近新台币百亿元,每股税后高达3.09元,获利能力荣登台系DRAM厂之冠,瑞晶预计最快会在年底前申请上市,届时为台湾DRAM产业再添新兵;

日本DRAM龙头厂尔必达(Eplida)28日宣布,已研发出全球最小尺寸的2Gb DDR2 Mobile RAM,并预计于今(2010)年8月进行送样,同年9月进行量产。

NAND Flash大厂群联28日进行除权息,终场攻上涨停价朝填权息目标挺进;董事长潘建成表示,系统厂因应消费性电子传统旺季到临,已开始针对NAND Flash晶片备货,因此合约市场价格持续上涨,预期第3季现货价有机会跟上脚步。

2010年NAND Flash合约市场和现货市场的状况呈现天差地远,现货价格几乎都没有涨,合约市场受惠苹果等手机大厂的订单,市况相当热络,三星、海力士等NAND Flash大厂的货源也都已优先供货系统大厂为主,主要是用在内嵌式内存上。

7月下旬DRAM合约价DDR3持续小跌2%,DDR2则因为供给吃紧而持稳,2Gb容量DDR3模块合约价台面上仍维持在44美元价位。

内存大厂旺宏第2季受惠NOR Flash涨价效应,毛利率爆冲至51%,是过去10年同期的历史新高,每股税后获利达0.68元,展望第3季,旺宏表示毛利率将维持高档,预估营收将较第2季成长12%;

2008年下半受金融海啸冲击,除三星电子(Samsung Electronics)外,全球主要DRAM厂商皆发生巨额亏损,为保有手中资金,各DRAM厂商先后采取减产、裁员、关闭不具效益厂房等策略,此举亦让自2006年以来全球DRAM产业扩厂竞赛划下句点。

订单能见度已达年底,产能供不应求情况在年底前也难获得纾解,将有助于平均价格(ASP)持稳,降低DRAM价格波动造成的负面影响。

台湾DRAM产业在南科、华亚科、华邦电等相继上修今年度资本支出之后,今年光是台塑集团在DRAM事业的资本支出就高达880亿元,力晶也有120亿元水平。

简讯快报

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