三星电子工会在23日的集会上重申其诉求:将年度营业利润的15%作为绩效奖金发放,废除绩效奖金上限,并要求奖金制度透明化。如果劳资双方未能达成协议,将于5月21日至6月7日正式展开罢工行动。

据韩媒报道,三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露,三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中,确认了一颗可用的晶圆,体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管(VCT)结构的首次应用。据悉,三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发,明年进行质量测试,并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构,然后在10d代转向3D DRAM。

3D X-DRAM采用存储单元垂直整合架构,突破传统存储容量扩展限制。该技术有望应用于HBM、DDR以及AI与HPC等领域。

当地时间4月22日,JEDEC发布了一系列计划纳入其JESD209-6 LPDDR6标准下一版本的新功能预览,致力于将LPDDR6的应用范围从移动平台扩展到支持特定数据中心和加速计算工作负载。即将推出的LPDDR6更新计划包括以下特征:更窄的芯片接口(x6)以实现更高的容量;支持灵活的元数据分离;容量有望突破当前LPDDR5/5X的最大容量限制达到512GB;LPDDR6 SOCAMM2模块标准正在开发中。此外,LPDDR6 PIM 存内处理技术标准制定也接近完成。

Nextorage(群联旗下日本存储模组企业)宣布推出 G Series EEA固态硬盘,提供1TB、2TB、4TB、8TB四种容量版本。该SSD采用PCIe Gen4 × 4接口,搭载3D QLC NAND闪存,整体方案为DRAM-less HMB+SLC Cache,质保期1年。

据媒体报道,由于特斯拉的存储需求激增,4月三星向特斯拉供应的8GB GDDR6 DRAM较第一季度月均水平增长了三倍。三星已提高位于韩国华城工厂的产能,以满足客户对DRAM的需求,还计划在2026年下半年于得克萨斯州的工厂开始为特斯拉生产先进的人工智能芯片。

D1d是三星电子将应用于第九代高带宽内存HBM5E的关键产品。虽然1c DRAM可以支持第六代到第八代内存(HBM4、HBM4E、HBM5),但从HBM5E开始,稳定的D1d供应至关重要。

此外,与美光合作的HBM后段晶圆制造(PWF)产线已于新竹厂区扩建无尘室,预计2026年第3季开始机台搬入,2026年第4季开始试产,2027第4季进入量产,目标月产能2万片。

三星NAND Flash产能投资计划将在目前正在建设中的平泽P5工厂进行,这将是自P3工厂以来,三星电子首次大规模扩建NAND Flash产线。由于市场低迷,三星此前一直专注于P4工厂的DRAM生产投资。

本次交易设置了明确的业绩承诺:嘉合劲威2026年至2028年累计实现净利润不低于2.34亿元(其中2026年不低于7000万元,2027年不低于7700万元,2028年不低于8700万元)。

据韩媒报道,三星电子已停止接受部分低功耗移动DRAM产品的新订单,受影响的产品包括LPDDR4和LPDDR4X。该公司近期已完成最后一批订单的交付,在完成之前已收到的订单后,相关产品将正式停产。考虑到最终订单的时间安排,LPDDR4和LPDDR4X的生产预计将持续到今年年底。随着库存逐步耗尽,三星预计将转向LPDDR5,生产线可能会从明年第一季度开始改造。

消息称,三星电子HBM4E逻辑芯片采用了与HBM4相同的4nm制程工艺,DRAM仍然是1c DRAM,但采用了新的工艺细节来提升部分性能。

由于HBM4采用多层DRAM垂直堆叠的结构,以超高速运行,因此对于精度的要求远高于通用DRAM。即使单个芯片的良率达到一定水平,在组装成最终的HBM4成品的过程中,良率也可能再次下降。虽然三星电子1c DRAM良率正在稳步提升,但很难保证其在HBM4良率方面已经达到成熟水平。

据韩媒zdnet报道,因英伟达在扩大下一代AI加速器"Vera Rubin"的批量生产方面遇到困难,预计SK海力士面向英伟达的HBM4出货量将较原计划减少约20%~30%,减少的HBM4产能将用于其上一代产品HBM3E以及服务器用DRAM。

三星电子宣布推出新款T7 和T9 microSD存储卡,对其可移动存储产品线进行了重大更新,采用了更清晰的命名策略并提升了性能等级。三星T7 microSD存储卡定位于日常高可靠性扩展存储,提供128GB、256GB、512GB和1TB四种容量选项,最高170MB/s顺序读取速度。T9 microSD存储卡专为高性能应用而设计,提供128GB、256GB和512GB三种容量选项,具备最高200MB/s的读取速度。新品将于2026年4月30日面向消费者发售。

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