权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:CFM分析

上周(8-10—8-14)NAND闪存芯片价格继续呈上扬的趋势。上周前期NAND闪存芯片价格微幅上扬,上周后期NAND闪存芯片则出现两级分化局面,容量高的产品价格出现回落的趋势,低容量市场产品价格则出现上扬趋势。MicroSD卡方面还是持续价格还是持续上扬

2009年三星策略上减少现货市场的供货量,以系统业者大客户为主,加上释放到现货市场的记忆卡成卡数量也减少,因此是2009年NAND Flash价格稳健的主因之一。

低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。

NAND闪存保持相对稳定

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-28

我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在

7月上旬NAND Flash交投淡静

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-13

下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DRAM反应清淡 flash回软

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-22

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND平稳,DRAM现货价跌

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-15

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

股市快讯 更新于: 04-19 14:36,数据存在延时

存储原厂
三星电子77500KRW-2.64%
SK海力士173700KRW-4.72%
美光科技111.93USD-3.78%
英特尔35.04USD-1.79%
西部数据68.32USD-2.64%
南亚科62TWD-3.58%
主控供应商
群联电子710TWD-6.08%
慧荣科技73.30USD-1.25%
美满科技65.24USD-1.87%
点序78.1TWD-4.99%
国科微45.20CNY-2.59%
品牌/模组
江波龙96.91CNY+2.10%
希捷科技83.44USD-0.90%
宜鼎国际283TWD-4.71%
创见资讯87.4TWD-3.43%
威刚科技96.2TWD-6.15%
世迈科技17.72USD-4.01%
朗科科技22.94CNY-3.65%
佰维存储44.54CNY-3.99%
德明利115.28CNY-4.33%
大为股份9.99CNY-1.96%
封装厂商
华泰电子64.6TWD-4.44%
力成174TWD-3.06%
长电科技24.42CNY-4.42%
日月光146TWD-3.31%
通富微电19.74CNY-3.47%
华天科技7.35CNY-2.26%