时创意(SCY)

时创意产品及业务涵盖智能手机（eMMC/LPDDR等嵌入式存储芯片），PC（SSD固态硬盘、DRAM内存模组），服务器（企业级SSD固态硬盘、企业级DRAM内存模组）三大应用场景的存储产品及移动存储产品，为全球知名半导体企业提供一站式存储解决方案和产品定制化服务。

时创意存储产品

时创意eMMC
时创意eMMC

采用SMI最新基于LDPC ECC纠错引擎的主控芯片，搭配长江存储Xtacking架构第三代TLC 3D NAND闪存颗粒。

时创意 2022-03-25
时创意企业级SSD P31E
时创意企业级SSD P31E

采用3D TLC，U.2 规格形态，PCIe Gen3×4 ，提供1TB、2TB容量选择，支持掉电保护。

时创意 2019-07-01
时创意企业级SSD P11E
时创意企业级SSD P11E

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 PCIe Gen3×4 Key M接口，提供512GB~2TB容量选择。

时创意 2019-05-06
时创意企业级SSD P51E
时创意企业级SSD P51E

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 PCIe Gen3×4 Key M接口，提供512GB~2TB容量选择。

时创意 2018-09-03
时创意工业级SSD N10I
时创意工业级SSD N10I

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2018-07-02
时创意工业级SSD M10I
时创意工业级SSD M10I

采用2D/3D TLC，mSATA 接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2018-07-02
时创意消费级SSD P20C
时创意消费级SSD P20C

采用3D TLC，M.2 2242规格形态，M.2 PCIe Gen3×2 M Key接口，提供128GB~1TB容量选择。

时创意 2018-05-07
时创意消费级SSD P10C
时创意消费级SSD P10C

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 PCIe Gen3 ×4 M Key接口，提供128GB~1TB容量选择。

时创意 2018-03-01
时创意企业级SSD S21E
时创意企业级SSD S21E

采用3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择，支持掉电保护。

时创意 2017-08-01
时创意企业级SSD N11E
时创意企业级SSD N11E

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
时创意消费级SSD N20C
时创意消费级SSD N20C

采用2D/3D TLC，M.2 2242规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
时创意企业级SSD S11E
时创意企业级SSD S11E

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD M10C
时创意消费级SSD M10C

采用2D/3D TLC，mSATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD N10C
时创意消费级SSD N10C

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD S10C
时创意消费级SSD S10C

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-2TB容量选择。

时创意 2017-06-01

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厂商快讯

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⊙05-28 16:32

据朝鲜日报援引业内人士透露，SK海力士近期收到了来自Alphabet、微软和Meta的内存半导体工厂投资支持提案，承诺提供数万亿韩元（约百亿美元）的资金支持，用于建设晶圆厂和购买EUV光刻设备。然而，据称管理层并未认真考虑这一方案。如果由特定的大型科技公司出资建厂，将会形成包含独家供货义务的合同结构。据悉，SK海力士婉拒了这些提议，同时将其作为长期供货合同的筹码。业内人士解读，这意味着SK海力士将要求更高的预付款、五年或更长时间的超长期合同以及价格下限保障条款。该策略旨在将大型科技公司带来的资金转化为更有利的合同条款，而不是转化为工厂股权。

⊙05-28 16:13

据外媒报道，三星电子计划投资约15亿美元在越南建设半导体测试工厂。据悉，该工厂生产通用芯片，计划年产能为1533亿GB DRAM和2556亿GB NAND闪存。目前工厂已开始建设，预计将于明年11月开始运营。

⊙05-28 14:13

Solidigm（思得）宣布任命郭炘和 Richard Chin为两位新任联席CEO。郭炘已于今年三月履职，将主导 Solidigm在技术和工程领域的全球业务战略制定和执行，打造引领市场的创新产品。Chin 于 5 月 1 日就任，他将围绕提升公司业绩、拓展核心能力、优化业务流程和推动业务拓展等方向展开工作。

⊙05-27 18:02

三星半导体官网正式发布首款PCIe Gen6企业级固态硬盘PM1763。该产品性能较上一代产品提升高达2倍，能效提升高达1.8倍，其顺序读取速度高达28,400MB/s，写入速度高达21,000MB/s。PM1763支持E1.S、E3.S和U.2三种外形尺寸，U.2版本限Gen5容量范围从4TB到64TB，符合NVMe 2.1、OCP 2.6标准。

⊙05-27 17:05

长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。

⊙05-27 16:50

日月光宣布已开发出业界首个 310mm × 310mm 面板级封装 (PLP) 自动化产线，预计将于 2027 年上半年投入量产。随着 AI 加速器和 HPC 组件的复杂度与日俱增，面板级封装已成为实现超大规模系统级封装 (SiP) 架构的关键创新。相较传统的晶圆级封装 (WLP)，使用矩形面板的 PLP 工艺可大幅提升载体的可用面积和单次加工面积，进而改善吞吐量和材料利用率。

⊙05-27 11:17

长鑫科技科创板IPO今日上会。此次IPO拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。

⊙05-27 10:28

SK 海力士今日股价一度上涨超11%，成为亚洲第三家市值突破 1 万亿美元的企业；三星电子本月稍早晋升 1 万亿美元俱乐部。

⊙05-26 07:43

SK海力士26日宣布发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。

⊙05-25 14:49

据外媒报道，美光科技全球运营负责人Manish Bhatia近日于投资者会议上表示，美光HBM4产能爬坡速度，比其去年量产HBM3 12层产品时快了两倍，目前产品良率的提升速度也在不断加快。此外，美光HBM4E的开发进展顺利，预计2027年将开始量产。

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