金士顿(Kingston) 厂商主页

金士顿成立于1987年，是领先的存储产品销售厂商之一，研发的储存产品广泛的应用于计算机电脑、手机、平板、服务器、打印机、MP3播放器、数字相机等终端设备。金士顿的服务遍布六大洲的代理商、经销商、零售商和OEM客户，同时为半导体厂商和系统OEM商提供代工和供应链管理服务。

金士顿存储产品

IronKey D300S系列闪存盘
IronKey D300S系列闪存盘

采用USB 3.0接口，提供4 ~ 128GB容量，能够实现 250MB/s 读取、85MB/s 写入的性能。

金士顿 2018-11-15
DataTraveler Ultimate GT
DataTraveler Ultimate GT

提供1- 2TB 两种容量来备份大文件，适用于拍摄4K或8K RAW视频。

金士顿 2017-01-04
Kingston双接口USB Type-C U盘
Kingston双接口USB Type-C U盘

提供16GB-64GB容量，USB Type-A和Type-C双接口，为具备Type-C端口智能型手机、平板等提供额外储存空间。

金士顿 2015-06-25
DataTraveler Micro 3.1系列
DataTraveler Micro 3.1系列

提供16GB-64GB容量，符合USB 3.1的传输标准，适用于平板、笔记本、车载音响和电视上等产品。

金士顿 2015-06-25
DataTraveler Mini 3.0系列
DataTraveler Mini 3.0系列

提供16GB-128GB存储容量，USB3.0接口速度，最高70MB/s读速度，15MB/s写入速度。

金士顿 2013-11-13
DataTraveler HyperX 3.0
DataTraveler HyperX 3.0

提供USB 3.0的传输速度，读/写速度分别高达225MB/s和135MB/s，256GB存储容量，面向于高端客户群体。

金士顿 2013-07-25
DataTraveler HyperX Predator
DataTraveler HyperX Predator

符合USB3.0规范，读/写速度分别高达240MB/s、160MB/s，512GB大容量存储，是客户选择的最佳产品。

金士顿 2013-07-10
DataTraveler GE9
DataTraveler GE9

符合USB3.0规范，最高64GB容量存储，读取速度40MB/秒，写入速度10MB/秒，高速存储数据。

金士顿 2013-07-10
DataTraveler GE9
DataTraveler GE9

符合USB2.0规范，最高16GB容量存储，超薄和无盖设，提供 Co-Logo 定制计划。

金士顿 2013-07-10
DataTraveler DTMicro
DataTraveler DTMicro

符合USB2.0规范，最高64GB大容量存储，十分适合与平板电脑或超薄笔记本电脑一起使用，作为辅助存储设备。

金士顿 2013-07-10
DataTraveler Locker+ G2
DataTraveler Locker+ G2

符合USB2.0规范，容量为8GB-32GB，具有硬件加密与密码保护的双重机制来自动保护所有数据，安全系数高。

金士顿 2013-07-10

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厂商快讯

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⊙04-07 11:38

据韩媒报道，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。三星电子预计将从2027Q2开始为平泽P5 PH1安装图案化设备，届时该阶段的洁净室施工也将完成，有望在2027年内贡献产能，满足英伟达 "Rubin" 与其它AI XPU的需求，纾解当前DRAM市场的供应紧张态势。

⊙04-07 10:52

三星电子公布2026年第一季度营收预估：预计合并营收约133兆韩元（约合881亿美元），环比增长41.7%，同比增长68.1%；预计合并营业利润约57.2兆韩元（约合379亿美元），环比增长185%，同比增长755%。

⊙04-01 09:57

德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。

⊙04-01 09:32

3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。

⊙03-31 10:58

据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。

⊙03-30 10:31

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

⊙03-25 16:39

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

⊙03-24 17:11

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

⊙03-23 11:41

据外媒报道，三星电子即将启动8英寸（200毫米）氮化镓（GaN）功率半导体代工厂的运营，最快于2026年第二季度实现全面投产。该代工厂采用交钥匙服务模式，不涉及芯片设计环节，三星已建立相应的GaN解决方案体系，并具备自产外延晶圆的能力。据行业消息，该氮化镓代工厂初期营收规模预计在1000亿韩元（约合4.62亿元人民币）以内。

值得注意的是，台积电此前已宣布计划于2027年终止氮化镓晶圆生产，而三星半导体最初在2023年宣布2025年投产该业务，实际进度有所延迟。除氮化镓外，三星电子还计划推进碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工业务，两者可在不同耐压区间形成互补。

⊙03-19 18:07

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

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