康盈半导体_厂商产品

康盈半导体(KOWIN)

康盈半导体专注于嵌入式存储芯片、模组、移动存储等产品的研发、设计和销售。主要产品涵盖eMMC、eMMC工业级、Small PKG. eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、 DDR、SSD、PSSD、Memory card 、内存条等。广泛应用于智能终端、智能穿戴、智能家居、物联网、网络通信、工控设备、车载电子、智慧医疗等领域。

康盈半导体存储产品

康盈PCIe Gen4.0x4 SSD

采用PCIe Gen 4.0x4接口，支持NVMe1.4高速协议，提供256GB-1TB容量选择。

康盈半导体 2023-08-01

康盈PSSD（USB3.2 Gen 2x2）

即插即用，轻松连接：兼容Windows/Mac/Linux/安卓等操作系统。

康盈半导体 2023-08-01

康盈SATA SSD（M.2 2280）

提供多种存储容量：128GB-1TB，可满足存储和硬盘升级需求。

康盈半导体 2023-08-01

康盈SATA SSD（2.5 inch）

提供多种存储容量：128GB-1TB，可满足存储和硬盘升级需求。

康盈半导体 2023-08-01

康盈PSSD（USB3.1 Gen 2）

即插即用，轻松连接：兼容Windows/Mac/Linux/安卓等操作系统。

康盈半导体 2023-08-01

康盈PCIe Gen3.0x4 SSD

采用PCIe Gen 3.0x4传输总线，支持NVMe1.4高速协议，提供256GB-1TB容量选择。

康盈半导体 2023-08-01

康盈PCIe 3.0x4 DRAM-less SSD

连续读取速度为3,500MB/S，连续写入速度为3,000MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

康盈PSSD

兼容Windows/Mac/安卓等操作系统，提供USB及Type-C双接口。

康盈半导体 2020-03-01

康盈SATA 2.5 inch系列SSD

支持SATA 6Gb/s协议，顺序读取速度520MB/s，顺序写入速度515MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

康盈PCIe 3.0x4 DRAM-base SSD

最高连续读取速度3,500MB/S，最高连续写入速度2,700MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

康盈PCIe 4.0x4 DRAM-base SSD

顺序读取速度可达7400MB/s，顺序写入速度可达6800MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

康盈SATA M.2系列SSD

支持SATA 6Gb/s协议，顺序读取速度560MB/s，顺序写入速度480MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

康盈SATA mSATA系列SSD

支持SATA 6Gb/s协议，顺序读取速度550MB/s，顺序写入速度520MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

康盈PCIe 4.0x4 DRAM-less SSD

顺序读取速度可达7100MB/s，顺序写入速度可达6500MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

报价中心

厂商快讯

⊙04-01 09:57

德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。

⊙04-01 09:32

3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。

⊙03-31 10:58

据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。

⊙03-30 10:31

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

⊙03-25 16:39

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

⊙03-24 17:11

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

⊙03-23 11:41

据外媒报道，三星电子即将启动8英寸（200毫米）氮化镓（GaN）功率半导体代工厂的运营，最快于2026年第二季度实现全面投产。该代工厂采用交钥匙服务模式，不涉及芯片设计环节，三星已建立相应的GaN解决方案体系，并具备自产外延晶圆的能力。据行业消息，该氮化镓代工厂初期营收规模预计在1000亿韩元（约合4.62亿元人民币）以内。

值得注意的是，台积电此前已宣布计划于2027年终止氮化镓晶圆生产，而三星半导体最初在2023年宣布2025年投产该业务，实际进度有所延迟。除氮化镓外，三星电子还计划推进碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工业务，两者可在不同耐压区间形成互补。

⊙03-19 18:07

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

⊙03-19 18:07

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

⊙03-19 14:45

美光科技近日在GTC 2026上宣布，已于2026年第一季度开始批量出货专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12H显存。该产品数据传输速率超过11 Gb/s，提供超过2.8 TB/s的带宽，较上一代HBM3E带宽提升2.3倍，能效提升20%。此外，美光已向客户交付HBM4 48GB 16H样品，单颗容量提升33%。

同时，美光推出业界首款量产的PCIe Gen6数据中心SSD（Micron 9650），顺序读取速度达28 GB/s，性能为Gen5两倍，并针对NVIDIA BlueField-4架构优化。专为Vera Rubin设计的192GB SOCAMM2内存也已量产，支持高达2TB内存容量和每CPU 1.2 TB/s带宽。