康盈PCIe 3.0x4 DRAM-base SSD

最高连续读取速度3,500MB/S，最高连续写入速度2,700MB/s。

产品分类：固态硬盘 品牌：康盈半导体
应用领域： 超极本 台式机 笔记本
产品白皮书 发布于：2020-03-01
康盈PCIe 3.0x4 DRAM-base SSD 共2个产品
型号 容量 接口类型 形态 NAND Flash 速度(读) 速度(写) 随机读取 随机写入
KAE5000A512SC41 512GB PCIe Gen3.0x4 M.2 2280 3D TLC 最高3500 MB/秒 最高2450 MB/秒 最高320K IOPS 最高340K IOPS
KAE5000AB1TSC81 1TB PCIe Gen3.0x4 M.2 2280 3D TLC 最高3500 MB/秒 最高2700 MB/秒 最高370K IOPS 最高340K IOPS

产品概览

康盈PCIe Gen3.0x4 DRAM-base SSD采用SMI DRAM-base稳定主控方案，搭载3D TLC NAND和DRAM，支持PCIe Gen 3x4接口；采用自主研发的纠错算法，保证数据可靠性；支持温控算法，在持续工作中平衡速率与温度；最高连续读取速度高达3,500MB/S，最高连续写入速度高达2,700MB/s。

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群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

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力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

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美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

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美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

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三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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