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全球半导体晶圆厂产能预计在2024年增长6%,2025年增长7%

编辑: 发布:2024-06-19 09:49

全球半导体产业正面临需求的不断增长,SEMI在其最新报告中宣布,2024年和2025年全球半导体制造业的产能预计将分别增长6%和7%,创下新的产能记录。这一增长主要由人工智能(AI)在数据中心训练、推理以及先进设备中的应用所驱动,预计5纳米及以下先进制程产能在2024年将增长13%。

随着Intel、三星和台积电等芯片制造商准备开始生产2纳米全环绕栅极(GAA)芯片,预计2025年全球先进制程产能将增长17%。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示,AI处理的普及正在推动高性能芯片的发展,并带动全球半导体制造产能的强劲扩张。

在区域产能扩张方面,中国芯片制造商预计将保持两位数的产能增长,2024年达到885万片晶圆/月,2025年预计增长至1010万片晶圆/月,接近行业总产能的三分之一。尽管存在产能过剩的风险,该地区仍在积极投资扩大产能,部分原因是为了减轻最近出口管制的影响。华虹集团、Nexchip、Sien集成和中芯国际以及DRAM制造商CXMT等主要代工供应商正在大力投资,以增长该地区的半导体制造产能。

在其他主要芯片制造地区,预计2025年的产能增长不会超过5%。台湾预计将在2025年以580万片晶圆/月的产能排名第二,增长率为4%,而韩国预计将在2024年首次超过500万片晶圆/月的产能,并在2025年以7%的增长率达到540万片晶圆/月的产能,排名第三。

按部门划分的产能扩张中,主要由Intel建立其代工业务和中国产能扩张推动,预计2024年和2025年代工部门产能将分别增长11%和10%,到2026年达到1270万片晶圆/月。高速AI服务器对更快处理器的需求推动了高带宽存储器(HBM)的快速采用,这也为存储器领域的产能增长提供了动力。随着AI的爆炸性采用,对更密集的HBM堆叠的需求不断增加,每个堆叠现在集成了8到12个芯片。因此,领先的DRAM制造商正在增加对HBM/DRAM的投资。预计2024年和2025年,DRAM产能将分别增长9%。相比之下,3D NAND市场的复苏仍然缓慢,预计2024年产能没有增长,2025年预计将增长5%。

随着AI应用在边缘设备中的增加,预计主流智能手机的DRAM容量将从8GB增加到12GB,而使用AI助手的笔记本电脑将至少需要16GB的DRAM。AI向边缘设备的扩展也将刺激对DRAM的需求。

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