美光广岛工厂生产规划：2025年生产1γ DRAM，还计划生产HBM

据日媒报道，美光日本法人高层Joshua Lee近日表示，美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储产品「1γ」DRAM。此外，还计划在广岛工厂生产生成式AI用「HBM」。

日本经济产业省曾于10月宣布，将对美光位于日本的广岛工厂最高补贴1,920亿日圆（约合13.5亿美元）。美光则表明，包含广岛工厂在内、今后数年将在日本最高投资5,000亿日圆（约合35.2亿美元）。

美光日前发布的高效能与高容量存储新技术的发展愿景显示，美光预计将在2024年初，推出24GB 8-Hi HBM3E，提供每秒超过1.2TB的频宽，有望显著提升人工智能（AI）训练与推论工作负载效能；到2025年，美光将进一步强化HBM3E产品线，推出36GB 12-Hi HBM3E，存储容量增加但频宽不变；而预计将于2026年问世的HBM4将展现美光HBM技术真正的革新：采用2,048位元介面，每秒频宽可望超过1.5TB，容量介于36～48GB之间。紧随其后的则是2028年的HBM4E，频宽可达每秒2TB以上，容量介于48～64GB之间。