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三星电子已完成美国芯片法案补助金申请,传泰勒第二工厂动工在即

编辑:AVA 发布:2023-09-06 15:46

据韩媒报道,三星电子已完成美国《芯片与科学法案》补助金申请,预计最快将能在今年内获得补助,助力泰勒晶圆厂兴建与营运。除了第一阶段工厂计划于2024年内完工,第二工厂也传动工在即,因而受到关注。

消息人士透露,继4月份提交了初步意向书之后,三星电子最近根据美国芯片法案完成了支持申请。美国芯片支持补贴的申请流程包括提交初步意向书和正式申请,随后进行企业考察。

一旦美国商务部的企业审查程序完成,三星电子将有资格获得美国政府对先进芯片生产的补贴。

用于芯片生产支持的直接补贴占整个项目资本支出的5%至15%。假设三星电子为其位于德克萨斯州泰勒的芯片工厂投资250亿美元,则可能获得高达37.5亿美元的补贴。补贴最早可能在今年发放。

三星电子自泰勒工厂建设开始以来一直期待芯片生产支持补贴,但它面临着各种挑战,其中主要与中美紧张局势加剧引发的中国业务有关。

三星电子在西安设有 NAND 闪存工厂和后处理设施,并在中国苏州设有后处理工厂。随着在华业务的一些不确定性现已解决,三星预计获得美国政府补贴的挑战将会减少。

美国于2022年10月对半导体设备实施出口管制,为台积电和三星提供了1年豁免期,近期有消息传出宽限措施将持续延长,这意味着三星电子可以继续进口设备用于其在中国工厂的设施升级。

还有分析认为,美国CHIPS法案中的护栏条款可能不会构成实质性限制。

根据监管规定,接受补贴的芯片制造商未来10年内在中国的芯片产能扩张不得超过5%。据报道,美国政府正在推进补贴分配程序。

一位业内人士表示:“由于三星电子满足了大部分要求和资格,因此预计会取得积极的结果。”

三星目前正在加速泰勒厂兴建。三星DS业务负责人庆桂显多次强调泰勒厂正如期兴建中,预计2024年内出货4nm产品,此外还有报道称,三星最快将于今年9月中旬动工兴建泰勒第二阶段工厂。

据悉,泰勒第二工厂产能将是第一工厂的1.3倍,且相较第一工厂最先进产品为4nm,第二工厂将导入更先进的制程。

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