权威的存储市场资讯平台English

2016年迎3D NAND技术拐点,谁输在起跑线?

编辑:Helan 发布:2016-03-07 13:55

为了进一步提高NAND Flash生产效益,2016年Flash原厂将切入1znm(12nm-15nm)投产,但随着逼近2D NAND工艺可量产的极限,加快向3D技术导入已迫在眉睫,2016年将真正迎来NAND Flash技术拐点。

1、积极导入48层3D技术量产,提高成本竞争力

与2D工艺相比,3D技术的NAND Flash具有更高的性能和更大的存储容量。3D技术若采用32层堆叠NAND Flash Die容量达128Gb,与主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本竞争力。

随着3D技术的发展,采用48层堆叠则可将NAND Flash Die容量提升至256Gb,突破2D NAND 128Gb容量,且较32层3D NAND更有成本和性能优势,这也是Flash原厂在2016年扩大48层量产或加快导入步伐的主要原因,使得2D技术向3D 技术切换点恰好拥有最佳的成本效益。

2、为3D NAND量产下“血本”,投资建厂消息不断

为了更好的研发和投产3D NAND,以及不输在起跑线,Flash原厂可谓下足了“血本”。三星在3D NAND技术上领先,并为3D NAND量产新建西安工厂,2016年将扩大48层3D NAND量产,并规划在年底实现64层3D NAND量产。东芝/SanDisk的3D技术也采用的是48层,除了改建的Fab 2将在2016年投产外,还投资买地建新3D NAND工厂。

美光目前已将3D NAND的样本送往客户进行测试,新建的Fab 10x工厂预计将在2016下半年开始投产新一代的3D NAND。SK海力士除了新建的M14工厂计划量产3D NAND,也将投资新建工厂,预计2019年开始投入生产,清州工厂量产的3D NAND已准备开始出货。

3、3D NAND意在增长迅猛的SSD市场

大数据时代,SSD正在以每年20%的需求量在快速增长,3D NAND大容量和高性能特性可为SSD带来更高的性能表现。三星采用自家的控制芯片,最先将3D NAND广泛应用到SSD中,并开始发售容量高达16TB的企业级SSD,2016年开始将3D NAND应用延伸到嵌入式产品UFS 2.0中。

美光、SK海力士等也均宣布将在2016年推出基于3D NAND的SSD,英特尔更是研发先进的3D Xpoint技术,在2016年推出搭载3D Xpoint NAND的Optane系列SSD新品。

此外,国际控制芯片厂Marvell 88NV1120、88NV1140、88SS1074等SSD控制芯片均支持3D TLC NAND,台厂慧荣也推出了一款支持3D MLC NAND的SSD控制芯片SM2246EN,为非Flash原厂的SSD厂商提供SSD控制芯片支持,未来将有更多的3D SSD上市。

3D NAND蜂拥而至,2016年NAND Flash市场再现供过于求?

2015年因Flash原厂扩大1ynm TLC量产,以及受全球智能手机出货量增长放缓,平板出货下滑,PC需求持续不振等影响,中国闪存市场网ChinaFlashMarket数据,NAND Flash综合价格指数累积跌幅高达35%,再加上DRAM价格持续下跌,存储产业链厂商营收成长均受到了一定的冲击。

数据来源:中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

2016年初市场需求复苏迟缓,NAND Flash价格依然持续跌势,累积2个多月NAND Flash综合价格指数跌幅达3.3%。2016年Flash原厂将相续投入48层3D NAND量产,再加上原厂投资建厂等消息刺激,市场担忧上游原厂NAND Flash产能大增会对市场造成冲击,加剧供过于求的市况,厂商营收获利也再次面临挑战。

3D NAND量产不定因素大,NAND Flash市场乐观而谨慎

其实,NAND Flash未来市况也未必非常糟糕。从Flash原厂投产情况来看,2016年只有三星能够实现48层3D NAND规模化量产,东芝48层3D NAND才刚进入规模量产阶段,美光、SK海力士预计要等到2016下半年才能够投入生产。

另一方面,Flash原厂由2D向3D技术过渡,就好比是把平房改为高楼,3D 技术能否顺利量产也是一大考验。近期,市场开始传出除三星以外的其他原厂在研发与投产3D NAND过程中均遇到良率不佳等消息,同时2D工艺进入1znm量产,NAND Flash良率将面临同样的难题,这些都有可能导致NAND Flash产能损失,以及效益受损。

在市场需求方面,在苹果、三星引领旗舰智能型手机向128GB大容量发展的趋势下,2016年小米5、乐视Max Pro、vivo Xplay5 等也增加了128GB容量,推动2016年旗舰机标配容量从16GB-64GB向32GB-128GB升级,这对于NAND Flash产能的消耗可是翻倍的增长,同时消费类二合一笔记本和数据中心服务器市场对SSD需求量和更大容量的需求都在增加,NAND Flash市场前景还是很乐观的,但供应链厂商仍需谨慎待之。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 05-28 01:11,数据存在延时

存储原厂
三星电子53900KRW-1.46%
SK海力士202500KRW-0.25%
铠侠2072JPY-0.24%
美光科技96.230USD+3.06%
西部数据51.640USD+2.91%
闪迪38.020USD+1.98%
南亚科技41.95TWD-1.99%
华邦电子17.35TWD-0.57%
主控厂商
群联电子491.5TWD-0.81%
慧荣科技64.030USD+0.52%
联芸科技38.31CNY-2.52%
点序56.7TWD-1.90%
品牌/模组
江波龙71.67CNY-1.90%
希捷科技116.533USD+3.36%
宜鼎国际231.5TWD-2.53%
创见资讯101.5TWD-0.98%
威刚科技91.9TWD+0.11%
世迈科技18.450USD+4.59%
朗科科技22.41CNY-1.45%
佰维存储56.50CNY-2.57%
德明利108.21CNY-3.38%
大为股份14.19CNY-0.98%
封测厂商
华泰电子36.65TWD-3.04%
力成116.5TWD-1.69%
长电科技32.35CNY-1.34%
日月光141.5TWD-1.74%
通富微电23.57CNY-1.50%
华天科技8.77CNY-1.68%