Kingston 4.5 eMMC系列
Kingston 4.5 eMMC系列

金士顿eMMC采用19nm MLC NAND Flash，符合JEDEC eMMC 4.5规范标准，eMMC容量从4GB-64GB不等。

金士顿 2013-06-20
BIWIN eMCP
BIWIN eMCP

BIWIN eMCP提供多种容量选择，顺序读写速度最高可达300MB/s、160MB/s。

佰维存储 2013-05-21
BIWIN LPDDR
BIWIN LPDDR

BIWIN Low Power DDR提供包括从高性能到高性价比的RAM解决方案。

佰维存储 2013-04-09
SK Hynix eMMC 4.41系列
SK Hynix eMMC 4.41系列

提供2GB和4GB存储容量，采用2xnm NAND Flash，符合eMMC4.41规范标准。

SK海力士 2013-03-15

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⊙06-23 10:37

美光科技与Anthropic宣布建立长期战略合作，内容覆盖AI内存与存储架构设计、多年期产品供应、Claude在美光内部的企业级应用，以及美光对AnthropicH轮融资的战略投资。

⊙06-23 10:05

三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽，顺序读取速度高达10.8 GB/s，顺序写入速度高达9.5 GB/s，顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度，同时提高了能效并缩小了封装尺寸，可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0，容量最高可达1TB。

⊙06-22 17:07

据台媒报道，群联电子执行长潘健成近日表示，当前NAND Flash市场供给持续紧张，缺货情况深不见底。他预计，今年下半年的供需紧张程度将远超上半年，而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调，Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势，目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。

⊙06-22 17:06

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。

⊙06-22 17:01

英韧科技联合辅导券商国泰海通，已于近日正式向上海证监局提交《辅导工作完成报告》。这标志着英韧科技历时一年半的上市辅导流程全部收官，即将向交易所递交正式上市申请。

⊙06-22 14:53

据外媒报道，三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示，施工设备陆续进场，意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始，下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增，三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂，也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算，预计其月产能可达20万至30万片，目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工（合同制造）产线在内的全部产品。

⊙06-18 07:47

SK海力士18日宣布，已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。此次新产品较上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升级。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，显著提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

⊙06-17 10:16

据韩媒THE ELEC援引业内人士消息称，ENF Technology已实现半导体制造过程中使用的氢氟酸的本地化生产，并于本月初完成产品质量认证，向SK海力士交付了首批半导体级氢氟酸（HF）。目前，该公司正在通过将其应用于生产流程来验证其稳定性。经过一到两周的初期运行后，从本月底开始，供应量将扩大到包括DRAM在内的主要生产线。

⊙06-17 10:15

据韩媒THE ELEC报道，济州半导体副总裁黄柱元近日会见记者时表示，公司将在SK海力士的晶圆厂生产LPDDR5，作为LPDDR4X的后续产品。LPDDR5量产目标时间为2030年，具体规模尚未最终确定。据报道，济州半导体已与SK海力士签署合同，将在未来几年使用其工厂，生产基地据推测位于中国无锡。

⊙06-16 14:45

铠侠今日在官网宣布其EXCERIA G3 SSD系列推出4TB型号，丰富了PCIe 5.0 产品线的容量选择，预计将于2026年7月上旬开始发售。此次新增的4TB型号采用基于其第八代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的QLC存储器构建，为需要在AI应用和游戏主机环境中配备入门级SSD的用户提供了更多选择。EXCERIA G3 SSD系列的顺序读取速度高达10,000MB/s，顺序写入速度高达9,600MB/s。

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