宜鼎国际(Innodisk) 厂商主页

宜鼎国际是一家以服务为导向的工业用储存装置供货商，专注于企业级、工业、航天与国防等应用市场，提供工业用嵌入式储存装置与工业用动态随机内存模块与相关技术服务。独特Pin7专利技术已得到Intel认证，并且被广泛使用于工业用与嵌入式系统中。

宜鼎国际存储产品

innodisk SATADOM-ML 3IE4
innodisk SATADOM-ML 3IE4

采用iSLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，DRAM-less设计，提供16GB-128GB容量选择。

宜鼎国际 2017-12-19
innodisk 3SE4系列CFast
innodisk 3SE4系列CFast

采用SLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，提供8-64GB容量选择。

宜鼎国际 2017-11-14
innodisk 3ME2系列MicroSD
innodisk 3ME2系列MicroSD

采用MLC NAND，符合SD3.0和SD2.0规范，提供8-64GB容量选择。

宜鼎国际 2017-08-24
innodisk 3MG2-P系列CFast
innodisk 3MG2-P系列CFast

采用MLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，提供32-256GB容量选择。

宜鼎国际 2017-07-04
innodisk 3ME3系列工业SD卡
innodisk 3ME3系列工业SD卡

采用MLC NAND，符合SD3.0和SD2.0规范，提供8GB至128GB的多种容量。

宜鼎国际 2017-06-07
innodisk 3ME4系列CFast
innodisk 3ME4系列CFast

采用MLC NAND，SATAIII 6Gb/s接口，提供8-256GB容量选择。

宜鼎国际 2016-11-25
innodisk Mini PCIeDOM 1ME3
innodisk Mini PCIeDOM 1ME3

采用MLC NAND，Mini PCI Express接口，提供16-256GB容量选择。

宜鼎国际 2015-10-12
innodisk EDC 1SE Horizontal
innodisk EDC 1SE Horizontal

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~8GB容量选择，顺序读写最大40/28MB/秒。

宜鼎国际 2015-02-26
innodisk EDC 1SE Vertical
innodisk EDC 1SE Vertical

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~4GB容量选择，顺序读写最大40/28MB/秒。

宜鼎国际 2015-02-26
innodisk EDC Vertical 3ME系列
innodisk EDC Vertical 3ME系列

采用MLC NAND，USB 3.0接口，8-64GB容量选择，尺寸为24.0mm x 22.0mm x 5.0mm。

宜鼎国际 2015-02-18
innodisk EDC Vertical 3SE系列
innodisk EDC Vertical 3SE系列

采用SLC NAND，USB 3.0接口，4-32GB容量选择，尺寸为24.0mm x 22.0mm x 5.0mm。

宜鼎国际 2015-02-18
innodisk EDC 1ME Horizontal
innodisk EDC 1ME Horizontal

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~256GB容量选择，顺序读写最大110/75MB/秒。

宜鼎国际 2014-11-13
innodisk EDC 1ME Vertical
innodisk EDC 1ME Vertical

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~128GB容量选择，顺序读写最大110/75MB/秒。

宜鼎国际 2014-11-04
innodisk iCF 1SE存储卡
innodisk iCF 1SE存储卡

采用SLC NAND，PATA接口，提供512MB~8GB容量选择，顺序读写最大40/30MB/秒。

宜鼎国际 2013-04-12
innodisk iCF 1ME存储卡
innodisk iCF 1ME存储卡

采用MLC NAND，PATA接口，提供8~256GB容量选择，顺序读写最大110/110MB/秒。

宜鼎国际 2013-04-12

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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