SK 海力士决定对尖端封装工厂 P&T7 进行新增投资。P&T7 是用于 HBM 等 AI 存储器制造的必不可少的先进封装（Advanced Packaging）工厂，计划在清州科技城工业园区内 7 万坪的土地上投资总规模 19 万亿韩元建设，目标是 2026 年 4 月动工，2027 年底完工。目前正在推进清州 M15X 与 P&T7 之间的有机联动，有望使清州成为 SK 海力士新的 AI 存储器核心基地，同时有助于强化应对 AI 存储器需求增长的能力。

SK海力士于CES 2026首次展出其下一代HBM产品“16层 48GB HBM4”。该产品是继此前实现业界最高速率11.7Gbps的12层 36GB HBM4之后的后续版本，目前正根据客户需求稳步推进研发工作。此外，SK海力士还将展出12层 36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块，直观展现HBM3E在AI系统中的核心应用价值。

据韩媒thelec报道，SK海力士已将其位于韩国京畿道龙仁市的龙仁集群1号晶圆厂首个洁净室的启用日期提前约两到三个月。该集群是下一代DRAM内存生产基地，包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。该集群原计划于明年5月启用首个晶圆厂的首个洁净室。

据外媒报道，美国商务部工业与安全局（BIS）改变了方针，将不再取消韩国半导体企业中国工厂的“经验证最终用户”（VEU）地位，而是转为以每年批准设备出口配额的方式来允许出口。这意味着三星电子和SK海力士在为其中国半导体工厂引进设备时，无需每次都等待美国许可。

据韩媒thelec报道，SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步，年底将生产规模扩大至数万张。此举被解读为抢先应对英伟达下一代AI加速器"Rubin"对HBM4的需求。

据韩媒dealsite报道，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。

据业界消息，受存储芯片价格快速上涨影响，苹果正扩大其iPhone存储芯片的三星采购占比。这一供应格局的转变，预计将使三星在iPhone 17 DRAM供应中占据60%-70%的份额。在前几代iPhone产品中，三星与SK海力士的供应比例更为均衡，美光也作为较小的供应商参与其中。

SK海力士18日宣布，将基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的256GB DDR5 RDIMM*高容量服务器DRAM模块应用于英特尔®至强®6平台（Intel®Xeon®6 platform），业界首次通过了英特尔®数据中心认证（Intel® Data Center Certified）。SK海力士技术团队表示：“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比，推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计，其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”

据韩媒报道，三星电子计划扩大针对博通公司的第五代高带宽内存（HBM）HBM3E的供应量。今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

据韩国经济日报报道，SK 海力士将在其下一代 (V10) NAND 闪存中首次应用混合键合技术，而 V10 产品的堆叠层数将在 300+ 级别。