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SK海力士宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存）——HBM3*的技术界限，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证。
SK海力士表示：“虽然今年上半年的低迷市况在持续深化，但从全年整体来看，预计市况会越到下半年就越好。”业界预测，由于减少投资和减产的基调，半导体存储器企业的供应不见增加，因此产品库存将从第一季度开始减少。
SK海力士计划采用第4代10纳米级（1a）精细工艺，将于今年下半年推进本次产品的量产。
SK海力士的DDR5与DDR4相比，功耗最多可减少约20%，性能至少提升70%以上，有望为服务器客户提供高效能功耗比*和降低碳排放量的效果。
SK海力士表示：“对于在半导体市场低迷的情况下能够引入大规模投资，公司备受鼓舞。这是全球投资者们展望今年半导体市况反弹的同时，对该债券中本公司应对气候变化的意志给予信任的结果。”
SK海力士表示：“高通公司正在寻求业务扩展机会，此时举行高层会谈恰逢其时。我们期望此次会谈能够为双方更积极的交流铺平道路，为我们供应业界顶级的存储解决方案等国际合作进一步激活提供机会。”
随着AI、大数据、无人驾驶、元宇宙等尖端科技产业成长速度的加快，全球技术企业正在关注快速处理急剧增加的数据又能够提高耗能效率的存储器半导体。 SK海力士认为，将在CES上展示的产品具备了满足客户所需求的高效能功耗比*和性能。
SK海力士宣布成功开发出DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM, Multiplexer Combined Ranks Dual-Inline Memory Module)*样品，这是目前业界最快的服务器DRAM产品。
SK海力士还决定减少内部决策系统，以提高管理决策的速度和灵活性；计划取消现有的安全开发制造和业务组织，并加快CEO与主要组织管理层之间的决策。
HBM支持高带宽，而带宽指的是在特定单位时间内可以传输的数据量。由于具有高带宽的特性，HBM主要应用于高性能计算场景。
SK海力士紧跟市场趋势，不断深耕LPDDR的研发。继去年成功量产业界最高容量的18GB LPDDR5后，今年再次成功研发出业界最快的LPDDR5X（4266MHZ/8.5Gbps）。
SK海力士1ynm、1anm 16Gb DDR5 和 1anm 24Gb DDR5 DRAM 在第 4 代 AMD EPYC 处理器上支持 4800Mbps，比DDR4 产品提供高达 50% 的内存带宽。
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。
SK海力士称，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，本公司澄清并未研究过与此相关的具体计划。
SK海力士预测，供过于求的情况仍将持续一段时间。因此，公司决定将明年的投资规模从今年预计的15万亿韩元至20万亿韩元减少到50%以上的标准。
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