+82-31-5185-4114 https://www.skhynix.com/
据外媒报道，为了巩固 HBM 存储芯片市场上的领先地位，SK海力士2024 年计划投资超过 10 亿美元，扩大在韩国的测试和封装能力。业内人士预测，SK 海力士今年的资本支出总额将达到 105 亿美元。
SK海力士表示：“去年在DRAM方面，公司以牵引市场的技术实力积极应对了客户需求，结果公司主力产品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分别增长4倍和5倍以上。另外，对于市况复苏相对缓慢的NAND闪存，主要集中于投资和费用的效率化。”
随着对多样化存储产品的需求不断增长，郭社长制定了公司引入“定制存储平台”的计划，以提供定制的人工智能存储解决方案。
SK海力士强调：“在CES2024，公司将重点突出‘以存储器为中心（Memory Centric*）’的未来发展蓝图。向全世界展示，AI时代技术发展所带来的半导体存储器重要性，与此同时展现公司在该领域的全球市场领先竞争力量。”
SK海力士最近正式向全球智能手机制造商vivo供应该产品。vivo也宣布其旗下最新款智能手机X100和X100 Pro都将配备SK海力士最新内存套装产品。
从产品来看，DRAM得益于AI等高性能面向服务器的产品销售好转，与第二季度相比出货量增长了约20%，与此同时ASP也上升了约10%。 NAND闪存在高容量移动端产品和固态硬盘（SSD，Solid State Drive）的出货量有所增加。
SK海力士计划向客户提供以LPDDR5T DRAM单品芯片结合而成的16GB（千兆）容量套装产品。该产品的数据处理速度为每秒77GB，其相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级电影。
目前正在进行的用地准备工作完成后，SK海力士计划在2025年3月开始动工建设首座工厂，并于2027年5月竣工。
白皮书显示，SK 海力士的 DDR5 功耗比 DDR4 低 14.4%，而第四代英特尔®至强®可扩展处理器的性能效率是上一代的 2.9 倍。在采用 Xeon 的服务器中，DDR5 实现了每瓦性能的提高，与 DDR4 相比，整数计算提高了1.22 倍，浮点计算提高了 1.11 倍。
此次产品在速度方面，最高每秒可以处理1.15TB（太字节）的数据。其相当于在1秒内可处理230部全高清（Full-HD，FHD）级电影（5千兆字节，5GB）。
SK海力士自上个月开始量产新产品，提供给智能手机制造商OPPO。OPPO将其搭载于最新旗舰（Flagship）智能手机“一加 Ace2Pro”产品上，并已在8月10日发布。
由于JEDEC的标准化审批流程已进入最后阶段，LPDDR5T 正在为全面上市做好准备。SK海力士预测，随着产品标准化和市场供应正式开始，移动设备DRAM的更新换代将从明年开始加速。
SK海力士公布了321层1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存开发的进展，并展示了现阶段开发的样品。
将提升第五代10纳米级（1b）DRAM和238层NAND闪存的初期量产良率和质量，在即将到来的市况好转时快速提升量产比重。但公司认为NAND闪存的去库速度与DRAM相较缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。
通过ISO标准认证确保了针对合规管理的国际公认“将持续成长为受到利益相关者信赖的半导体企业”
2024-11-21 闪存芯片
2024-06-28 固态硬盘
2024-05-20 嵌入式
2024-03-20 内存芯片
2023-06-05 固态硬盘
