SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

SK 海力士决定对尖端封装工厂 P&T7 进行新增投资。P&T7 是用于 HBM 等 AI 存储器制造的必不可少的先进封装（Advanced Packaging）工厂，计划在清州科技城工业园区内 7 万坪的土地上投资总规模 19 万亿韩元建设，目标是 2026 年 4 月动工，2027 年底完工。目前正在推进清州 M15X 与 P&T7 之间的有机联动，有望使清州成为 SK 海力士新的 AI 存储器核心基地，同时有助于强化应对 AI 存储器需求增长的能力。

SK海力士于CES 2026首次展出其下一代HBM产品“16层 48GB HBM4”。该产品是继此前实现业界最高速率11.7Gbps的12层 36GB HBM4之后的后续版本，目前正根据客户需求稳步推进研发工作。此外，SK海力士还将展出12层 36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块，直观展现HBM3E在AI系统中的核心应用价值。

据韩媒thelec报道，SK海力士已将其位于韩国京畿道龙仁市的龙仁集群1号晶圆厂首个洁净室的启用日期提前约两到三个月。该集群是下一代DRAM内存生产基地，包括高带宽内存（HBM），目前正在建设中。该集群原计划于明年5月启用首个晶圆厂的首个洁净室。

据外媒报道，美国商务部工业与安全局（BIS）改变了方针，将不再取消韩国半导体企业中国工厂的“经验证最终用户”（VEU）地位，而是转为以每年批准设备出口配额的方式来允许出口。这意味着三星电子和SK海力士在为其中国半导体工厂引进设备时，无需每次都等待美国许可。

据韩媒thelec报道，SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步，年底将生产规模扩大至数万张。此举被解读为抢先应对英伟达下一代AI加速器"Rubin"对HBM4的需求。

据韩媒dealsite报道，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。