近日，SK海力士宣布推出了首款8GB的高密度LPDDR4X芯片，是一款双通道，采用16Gb单颗Die多芯片封装。

日前，SK海力士才宣布将投资2.2兆韩元新建存储器工厂，另有知情人透露，SK海力士正在积极推进72层3D NAND技术的发展，预计将在2017年Q1推出72层3D NAND样品，Q2开始小批量生产。

SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。

据韩媒ETnews报道，SK Hynix将在2017年开始大规模量产10nm级DRAM，成为继三星之后第二家迈入10nm DRAM制程的原厂。SK Hynix在内部结束1xnm DRAM开发工作的同时即开始了1ynm DRAM的研发工作，并且同步建立了1z

据韩国经济报导，SK海力士以21nm制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品，2016年底生产比重将达全部DRAM的40%；10nm级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半

据韩媒ET News报导，SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案，已进入执行阶段；SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon File由于让出CIS事业资产，成为SK海力士晶圆代工的设

南韩存储器大厂SK海力士，今年靠DRAM、NAND赚饱饱，不过该公司并未就此放松，还打算拓展版图，抢攻晶圆代工业务，锁定CMOS影像传感器、显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等。

SK海力士公布其截止到9月30日的2016年第三季度财报，数据显示其总营收为4.24兆韩元（约37.32亿美元），环比增长8%，同比下滑14%；营业利润为0.726兆韩元（约6.39亿美元），环比增长60%，同比下滑48%；净利润为0.598兆韩元（约5.

SK海力士(SK Hynix)与美国史丹佛大学(Stanford University)以及相关设备及材料业者合作，将共同研发结构类似人类脑神经构造的新半导体元件，期盼能提升巨量资料(Big Data)的运算速度，加速人工智能(AI)时代来临。

SK海力士在今天宣布开始大规模量产UFS2.1的产品，有32GB、64GB和128GB三个容量，基于第二代3D NAND的闪存解决方案，采用的是36层堆叠的3D技术。

SK海力士发布了新的PC300系列SSD，面向消费级市场，规格相当彪悍。这款新品的具体主控不详，但可以肯定主控、闪存、缓存都是海力士自主的。

据ET News报导，韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)启动10nm级(1x)DRAM研发，并将研发代号订为Alius，藉由拉丁文之意，象征突破10nm制程物理极限，为存储器市场开创另一个新的世界。

SK海力士(SK Hynix Inc.)26日公布2016年第二季(截至6月30日为止)财报，营收为3.941兆韩元，同比下滑15%，由于较第一季度产品出货超出预期，以及Memory需求增加的影响，环比季增8%。

继韩国LG Innotek在2016年6月宣布废止生产职的年资阶级制，改采重视成果导向的人事薪资制度后，SK海力士(SK Hynix)也宣布类似的生产职务体系调整，以提升员工的技术能量，强化公司的技术竞争力。

海力士公布首季营收为3.66兆韩元，低于市场预估的3.8兆韩元，环比下滑17%，同比下滑24%，净利润为4480.3亿韩元，同比下滑65%。