今日韩股低开低走，韩国创业板指KOSDAQ盘中一度大跌超5%，触发熔断机制，导致程序化交易暂停5分钟。在创业板熔断后不到一小时，由于KOSPI 200期货暴跌超过5%，主板KOSPI指数也触发了熔断机制，程序化交易再次暂停5分钟。截至发稿，三星电子股价跌近6%，SK海力士跌超6%。

据韩媒援引韩国芯片行业消息报道称，三星电子 HBM4 销售额已在业界率先突破 10 亿美元大关。该产品此前于 2026 年 2 月 12 日正式量产。三星 HBM4 基于 1cnm DRAM Die 和 4nm 逻辑 Base Die，采用 12Hi 堆叠，单堆栈容量 36GB。其引脚速率可达 13Gbps，堆栈总带宽达 3.3TB/s。

三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽，顺序读取速度高达10.8 GB/s，顺序写入速度高达9.5 GB/s，顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度，同时提高了能效并缩小了封装尺寸，可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0，容量最高可达1TB。

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。

SK海力士总市值22日超越三星电子（不包括优先股），成为韩国股市市值最高个股。由此，韩国股市“龙头”地位时隔25年零7个月易主。分析认为，主要是由于SK海力士股价涨幅远高于三星电子。当天，SK海力士股价猛涨5.82%，三星电子涨幅仅为0.71%。今年以来，三星电子股价上升197.7%，SK海力士股价则骤增341.9%。

据外媒报道，三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示，施工设备陆续进场，意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始，下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增，三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂，也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算，预计其月产能可达20万至30万片，目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工（合同制造）产线在内的全部产品。

据业内人士透露，三星电子DS事业部在18日举行的战略会议上讨论了向各客户供应HBM3E以及下一代HBM4和HBM4E的计划。此外，还特别回顾了其针对大型科技公司的长期协议（LTA）战略，该战略自年初以来一直在实施。

三星电子日前在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。与DRAM相比，MRAM的优势在于具备非易失性，无需频繁刷新，几乎可以无限期地保留信息，从而实现了能效端的优势。三星电子 5nm MRAM 的工作温度范围为-40~+150 ℃，可满足 AEC-Q100 标准要求，目前正朝 2027 年量产的既定目标稳步推进。

据韩媒报道，三星目前正与多家合作伙伴共同研发用于量产第七代10纳米（1d）DRAM的设备，并计划于明年第二或第三季度推出。考虑到实际量产准备所需的时间，预计最早将于明年年底开始1d DRAM的初步量产。三星的1d DRAM预计将被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。

据韩媒报道，三星电子正在开发和运营“数据共享生态平台（DSEP）”。目前，参与该平台的公司数量已超过60家，主要为设备供应商，并且合作伙伴数量还在持续增长。该平台用于与材料、零部件和设备领域的供应商实时共享半导体工艺数据，三星将其扩展为基于人工智能的工厂运营系统，最终为无人晶圆厂的建设奠定基础。