新厂房计划于2025年竣工，完工后，总建筑面积将达到200万平方英尺，是当前厂房面积的两倍。新厂房的核心产品为需求殷切的铜片及影像传感器封装产品。

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尽管第4季市场需求仍受诸多不确定性因素干扰，内存合约价也尚在探底，但对公司而言，最坏的时间点已在第2季显现，下半年将逐季好转。

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SK海力士紧跟市场趋势，不断深耕LPDDR的研发。继去年成功量产业界最高容量的18GB LPDDR5后，今年再次成功研发出业界最快的LPDDR5X（4266MHZ/8.5Gbps）。

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SK海力士1ynm、1anm 16Gb DDR5 和 1anm 24Gb DDR5 DRAM 在第 4 代 AMD EPYC 处理器上支持 4800Mbps，比DDR4 产品提供高达 50% 的内存带宽。

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使用第 4代 AMD EPYC处理器系统，美光实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽，而第 3 代 AMD EPYC 处理器系统为 189 GB/ s，系统内存带宽增加了两倍。

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由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。

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威刚目前仍维持先前对存储市况的看法，虽然本季DRAM与NAND Flash合约价仍持续下探，但DRAM现货价走跌幅度已相当有限。多家存储原厂宣布调降明年资本支出及放缓制程微缩脚步，在DRAM与NAND Flash两相衡量下，预期前三大原厂将会优先守住DRAM价格，可望让DRAM市况逐步迎来正向循环。

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佰维存储Marketing副总经理李振华表示，佰维针对工业级存储的特定场景需要，持续投入研发更具优势的存储系列产品。

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群联执行长潘健成日前表示，NAND Flash价格在第三季相对第二季已跌了3成、预料市场需求在第四季到明年第一季还是疲弱，但NAND Flash原厂已相继宣布缩减或延后投资，显示目前NAND Flash的市场已逼近到底部，所有NAND Flash原厂都已在严重的亏损压力之下，再期待降价已是无空间。

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潘健成表示，目前市场景气虽低迷，但群联在设计服务领域持续有所斩获，包含服务器、车用系统、PC、手机等应用，陆续接获各种客制订单，虽然客制化需求所需的研发投资会影响短期收益，但长期有助提升客户附加价值与黏着度。

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据悉，Solidigm 董事会已经开始物色新的 CEO 来领导 Solidigm。

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南亚科技总经理李培瑛此前预期，第4季产品售价恐将持续走跌，虽然跌幅有机会较第3季收敛，不过第4季营运仍有亏损风险。

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新的 EXCERIA G2 microSD 系列是主流型号 EXCERIA microSD 的升级版，写入速度提高到 50 MB/s, 对应于 UHS 速度等级 3 (U3)和视频速度等级 30 (V30)。

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eMMC/UFS控制芯片营收与去年同期相比成长约三分之一，两种控制芯片都在成长，其中eMMC控制芯片成长速度为UFS控制芯片的两倍。eMMC/UFS控制芯片成长的动力主要来自和具有市场竞争地位的NAND大厂的合作，以及模组厂受惠于一些NAND大厂淡出eMMC市场所带来的转单效益。

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从SATA到M.2，从PCIe3.0到PCIe4.0，从550MB/s到7300MB/s，aigo SSD已经拥有多款产品。

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