SS321所采用的主控芯片、NAND晶圆、DDR皆来自于国产品牌企业，并结合了佰维硬件设计、固件开发以及先进封测制造工艺，最大顺序读写速度分别达到560MB/s、500MB/s，支持240GB、480GB、960GB多种容量规格。

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南亚科技因其创新、质量、交货时间、灵活性、成本和整体支持而获奖。此次获奖不仅为诺基亚与南亚的长期合作奠定了坚实的基础，也为双方未来产品和项目的开发铺平了道路。

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针对教育电子市场，FORESEE 发布了首款面向该领域的专用存储卡——EPLUS V10系列microSD，该系列产品采用全新的固件架构设计，支持SPI模式，可提供8GB~32GB容量。

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HBM支持高带宽，而带宽指的是在特定单位时间内可以传输的数据量。由于具有高带宽的特性，HBM主要应用于高性能计算场景。

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长电科技表示，随着PC端、服务器端、以及消费端等领域对存储系统性能的要求不断提升，市场对DDR5的需求有望加速释放，为集成电路封测带来新机遇。

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佰维C1008系列SSD兼具稳定读写、高擦写寿命、大容量、断电保护、高兼容性等优势，支持数据写入密集型车载应用长时间稳定工作，典型应用于车载监控、DVR（硬盘录像机）等领域。

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Solidigm 的 P41 Plus 和 P44 Pro SSD 是可定制桌面和游戏就绪预配置系统的默认存储选项，以具有竞争力的价格为游戏玩家提供前所未有的性能。

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得一微电子依托自研的存储控制器和定制化的固件算法，可以实现存储分区、全盘预烧录、数据完整性保护、加密销毁、智能温控、超强耐久度等多种定制化解决方案，满足不同客户的全方位定制需求，打造出真正符合汽车客户需求的存储解决方案。

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作为全球首家官宣232层NAND Flash的存储原厂，美光的研发进展及供应策略对存储市场具有举足轻重的影响。那么，美光对于明年存储市场的展望有何变化？如何通过先进制程激发市场的应用需求？12月8日，美光集团副总裁Dinesh Bahal先生将在中国闪存市场峰会CFMS2022上发表重要演讲，敬请期待！

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近期，佰维在LPDDR4/4X产品的基础上，推出更高性能、更低功耗、更多容量选择的LPDDR5产品。

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美光最新 LPDDR5X 专为高端和旗舰智能手机打造，峰值速度8.533 Gbps，比上一代 LPDDR5 提高33%。

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新厂房计划于2025年竣工，完工后，总建筑面积将达到200万平方英尺，是当前厂房面积的两倍。新厂房的核心产品为需求殷切的铜片及影像传感器封装产品。

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尽管第4季市场需求仍受诸多不确定性因素干扰，内存合约价也尚在探底，但对公司而言，最坏的时间点已在第2季显现，下半年将逐季好转。

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SK海力士紧跟市场趋势，不断深耕LPDDR的研发。继去年成功量产业界最高容量的18GB LPDDR5后，今年再次成功研发出业界最快的LPDDR5X（4266MHZ/8.5Gbps）。

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SK海力士1ynm、1anm 16Gb DDR5 和 1anm 24Gb DDR5 DRAM 在第 4 代 AMD EPYC 处理器上支持 4800Mbps，比DDR4 产品提供高达 50% 的内存带宽。

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