铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列，采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存，PCIe Gen5x4接口，顺序读取速度高达 10,000 MB/s，写入速度高达 9,600 MB/s，容量最高可达 2TB。

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铠侠宣布，其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。

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群联目前仍握有成本相对较低的库存，将成为未来出货与获利扩增的基础。随着AI带动云端存储量急增，而NAND原厂扩产依旧保守，供需紧俏将持续支撑报价与营运表现。

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据日媒报道称，为抢攻AI数据中心需求，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash，其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层。

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按产品线来看，威刚11月DRAM占整体营收比重拉升至64.98%，SSD占比为23.45%，存储卡、U盘与其他产品为11.57%。

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华邦电子称，已有客户表达希望签订长达六年的供应合约，以提前锁定产能供应。

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SK海力士继2017年后再度获得“最佳财务管理半导体公司奖”，并首次斩获“亚太杰出半导体企业奖”。这次双重荣誉彰显了SK海力士作为全球半导体产业标杆企业的地位。

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力成看好第4季AI应用带动DRAM封测需求，先进逻辑封测续扩产能成长可期。

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为确保为HBM主要客户提供及时的技术支持，SK海力士正在美洲地区建立专门的HBM技术部门。此外，为了快速响应不断增长的定制HBM市场，SK海力士还成立了专门负责HBM封装良率和质量的独立部门。至此，SK海力士构建了一个涵盖从研发到量产和质量控制全流程的专业化HBM组织架构。

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为了更好地为美光在增长更快的细分市场中的大型战略客户提供供应和支持，美光做出了艰难的决定，终止Crucial消费业务。

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因应市场需求热度，南亚科技已陆续将部分产能转回DDR4，市场预期第四季涨势仍有双位数百分比。南亚科技对于第四季营运持续乐观。

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制程优化提升了信号完整性并降低漏电率，确保在高达 3600Mbps 的数据速率下仍能稳定运作。

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近日，佰维特存重磅推出TGQ200系列，搭载 PCIe Gen4x4接口+ NVMe2.0协议的高性能架构，容量覆盖 512GB-4TB。产品融合 -40℃~85℃ 宽温适应、过压过流防护、数据保护与 S.M.A.R.T 智能监测等多重可靠性设计。

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12月2日晚间，江波龙发布定增预案，拟募资不超37亿元，用于面向AI领域的高端存储器研发及产业化项目、半导体存储主控芯片系列研发项目、半导体存储高端封测建设项目以及补充流动资金。

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作为紫光展锐的重要生态伙伴，佰维存储携多款高集成、小型化、高性能的前沿存储方案亮相，包括 ePOP4x、UFS、LPDDR5X、uMCP、Mini SSD 等，为智能穿戴、AI 手机、AI PC、具身智能、AI 教育等场景提供面向端侧 AI 的全场景存储解决方案。

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