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据CFM闪存市场了解，SK海力士预计将在9月底开始量产12层HBM3E，三星12层HBM3E芯片已完成量产准备，计划于今年下半年开始供货。
美光科技表示，此次收购将支持其在台中和桃园厂区的DRAM生产业务，并强化其在AI时代产品需求中的市场领导地位。
据美光最新申报资料显示，鉴于市况好转，决定重启股票回购计划。这将有助于抵消员工股票购买计划带来的稀释。
美光科技宣布开发出行业首个PCIe Gen 6数据中心SSD，旨在推动生态系统发展，支持人工智能的广泛需求。该技术提供超过26 GB/s的顺序读取带宽，标志着美光在AI存储领域的领先地位进一步巩固。
与上一代 NAND 一样，美光G9 NAND采用紧凑的11.5 毫米 x 13.5 毫米封装，占用空间比竞争产品减少 28%，是目前最小的高密度 NAND。
性能方面，9550 SSD连续读取速度为14.0 GB/s，连续写入速度为10.0 GB/s，与同类竞争SSD 相比，性能提升高达 67%。此外，其 3,300K IOPS 的随机读取速度比竞争产品高出 35%，400K IOPS 的随机写入速度比竞争产品高出 33% 。
P310系列搭载美光232层3D QLC NAND，群联E27T主控，采用12nm工艺制造，四通道DRAM-less设计，顺序读写速度最高可达7100 MB/s和6000 MB/s。
对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序，MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM，能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能，传输速率可达8800 MT/s。
美光目前所有量产DRAM芯片均采用DUV光刻机制造，但已于今年开始1γ工艺的EUV技术试生产，并计划于2025年实现量产。
台湾美光20日深夜发布声明称，台中厂火警人员无虞，厂区营运未受任何影响。
根据日经亚洲报道，美光科技正在全球多个生产基地扩建或计划扩建高带宽内存（HBM）产线，以期在AI热潮中获得更多利润丰厚的订单。公司目标是在2025年将HBM领域的市场份额提升至约20%，与公司在DRAM行业的整体营收份额看齐。
美光日前表示，目前正积极强化HBM技术并同步扩充产能，预期能在2025自然年达到约同于美光DRAM市占率的相同水准，也就是约为20-25%。
美光科技（Micron Technology, Inc.）宣布其下一代GDDR7图形内存开始样品阶段，该产品采用业界最高位密度，并利用1β（1-beta）DRAM技术和创新架构，提供32 Gb/s的高性能内存，同时优化了功耗设计。GDDR7内存提供超过1.5 TB/s的系统带宽，比GDDR6带宽提升高达60%，并具备四个独立通道以优化工作负载，实现更快响应时间、更流畅的游戏体验和缩短处理时间。
美光CZ120内存扩展模块已通过OEM渠道批量供应，未来几个季度供应量将继续增加。
美光近日宣布了一项重大投资计划，将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导，这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。
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