美光宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程，该厂将是新加坡首个双层晶圆厂，洁净室空间达到 70 万平方英尺，未来十年总投资将达 240 亿美元，预计 2028 年下半年投产。

美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

美光推出美光3610系列NVMe™ SSD，这是业界首款面向客户端计算的 PCIe 5.0 QLC SSD，采用美光G9 NAND，顺序读取速度高达 11,000 MB/s，顺序写入速率高达 9,300 MB/s。提供多种外形规格，以及 1TB 至 4TB 的容量选择。

据业界消息，美光科技计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆，这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后，于第二季度开始量产HBM4。

据业界消息，受存储芯片价格快速上涨影响，苹果正扩大其iPhone存储芯片的三星采购占比。这一供应格局的转变，预计将使三星在iPhone 17 DRAM供应中占据60%-70%的份额。在前几代iPhone产品中，三星与SK海力士的供应比例更为均衡，美光也作为较小的供应商参与其中。

美光表示，2026全年包括HBM4在内的HBM供应价格和数量已达成协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元。1000亿美元这一潜在市场规模里程碑预计将比早前的展望提前两年到来。值得注意的是，2028年HBM潜在市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。

美光公布截至2025年11月27日的FY2026Q1财季(2025年9-11月)业绩，该季营收136.4亿美元，环比增长21%，同比增长55%；Non-GAAP下，营业利润64.2亿美元，营业利润率由上季度的35%上升至47%；净利润54.8亿美元，环比增长58%，同比大增169%。FY2026Q1财季(2025年9-11月)美光整体以及旗下所有业务部门均实现了创纪录的营收和显著的利润率增长，并预计FY2026Q2财季(2025年12月-2026年2月)的营收、毛利率、每股收益和自由现金流均将创下历史新高，有望在2026财年之前保持强劲的业务增长。持续强劲的行业需求和供应限制正导致市场状况紧张，美光预计将持续至2026年以后。目前，美光正致力于从现有基础上最大限度地提高生产产出，扩大先进节点的出货，并投资新增洁净室空间以增强供应能力。

据韩媒报道称，三星电子联席CEO、DX部门负责人卢泰文将在CES 2026 正式开展的首日与美光董事长、总裁兼CEO桑杰?梅赫罗特拉举行会面，讨论三星 Galaxy S26 系列旗舰智能手机的 LPDDR5x 内存供应问题。