消息称三星正为英伟达开发8层HBM4E

存储器 2026-08-31 14:23

据韩媒报道,三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器(HBM4E),较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度,英伟达提出的速度规格为17-18Gbps,较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%,该产品据悉将用于NVHBM。

简讯快报

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