消息称铠侠拟投资近63亿美元兴建NAND Flash新厂房

存储器 网络 Andy 2026-08-27 14:55

据日媒报道,因AI普及,带动存储需求激增,为加快高性能产品的增产投资,铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房,预估投资额将超过1兆日圆(约合62.78亿美元)。

铠侠高层将在27日访问日本首相官邸,宣布新厂兴建计划。

目前,铠侠正在位于日本四日市工厂(三重县四日市市)和北上工厂(岩手县北上市)生产NAND Flash,其中北上工厂有2座厂房,第2厂房(K2)于2025年9月投产,铠侠决定在北上工厂内兴建第3座厂房(K3)。

报道称,铠侠已向半导体制造设备商等部分供应商洽询采购新厂所需的设备,且预估此次的投资也将运用日本经济产业省的补助金。

据CFM闪存市场数据,今年第一季度铠侠在全球NAND Flash市场份额为14.9%,排名第三。

铠侠社长太田裕雄在6月举行的法人说明会上曾表示,关于在北上工厂兴建新厂房,公司已开始启动相关评估,目标在2029-2030年以后投产,通过增产投资因应旺盛的需求。太田裕雄指出,AI数据中心用需求正强劲扩张,NAND Flash市场热络。此种情况将持续至2027年。

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