三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。

力积电于法说会上表示,存储产业已回到健康状态,带动存储稼动率在第2季已达9成,第2季起DRAM代工客户需求强劲,NAND Flash需求也强,市场共识价格会逐步往上,力积电存储晶圆产能几乎全开。

对于每个 DIMM 插槽需要超过128GB 内存的应用程序,MRDIMM表现优于当前的 TSV RDIMM,能够提供最高带宽、最大容量、最低延迟和更高的每瓦性能,传输速率可达8800 MT/s。

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LLW DRAM是下一代DRAM,通过增加输入/输出 (I/O) 端子的数量来增加带宽(发送和接收数据的路径),可实现128GB/s的高性能和低延迟特性。未来有望应用于端侧AI行业,取代现有的LPDDR。

据韩媒报道,SK海力士将使用台积电的N5工艺版基础裸片构建其新一代HBM4产品。

韩国SK集团计划通过将旗下半导体加工与分销公司Essencore合并入SK Ecoplant(原SK建设)来优化其财务结构,此举预计将为SK Ecoplant 2026年的上市计划增添弹性。

三星10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右,性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能,从而提高AI功能的速度(如语音文本生成),而无需服务器或云访问。

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Genarium为SK海力士提供关键的下一代高带宽内存(HBM)生产设备。预计从2025年下半年开始,Genarium有望获得大规模订单。这些设备对提高生产效率和降低成本至关重要。

据业界人士透露,SK海力士正在考虑将无助焊剂键合工艺应用于HBM4,目前正在研发层面进行商业可行性审查,并非立即引入和投资。

HBM3E 12层预计将成为下半年AI半导体市场的最大竞争点,三星电子和SK海力士等内存企业的竞争愈发激烈。三星电子需要迅速通过英伟达的质量验证以确保下半年的产品供应,而SK海力士也计划在第三季度量产HBM3E 12层产品。美光科技也在准备明年量产HBM3E 12层产品,以应对市场需求。

三星电子面临获得大型代工(Foundry)客户困难,决定调整投资速度,优先推进收益性较高的内存生产线建设。原计划的平泽园区四厂(P4)代工线开工被推迟,转而加快建设内存生产线。

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海光信息发布公告,称经财务部门初步测算,预计2024年半年度实现营业收入与上年同期相比,将增加96,830.59 万元到 130,830.59 万元,同比增长 37.08%到 50.09%。

香农芯创表示,受益于行业复苏,存储芯片价格上涨以及下游客户对存储芯片需求增长,2024 年上半年收入增长约 80%。

华天科技半年度业绩预告显示,预计2024年1-6月业绩大幅上升,归属于上市公司股东的净利润为1.90亿至2.30亿,净利润同比增长202.17%至265.78%。

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通富微电表示,2024年上半年半导体行业呈现复苏趋势,市场需求回暖,人工智能等技术及应用促进行业发展。公司产能利用率提升,营业收入增幅明显上升,特别是中高端产品营业收入明显增加。

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