据业界消息,为了满足苹果iPhone的要求,三星电子试图将LPDDR的集成电路改为分立封装,这意味着LPDDR将与系统半导体分开(即分立)封装,预计这一改变将在2026年实现,旨在扩大设备端AI的内存带宽。
SK海力士决定建立一个新的“开发总部”,汇集所有存储产品的开发能力,包括DRAM、NAND和解决方案,以最大限度地发挥全公司的协同作用,开发下一代AI存储等未来产品。
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美国近日升级对中国出口管制,据CFM闪存市场梳理,在BIS发布的具体文件中,对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM的限制,删除此前“18nm及以下节点”的描述,进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控。
长期来看,ASML认为,对半导体行业需求的预测预计不会受到新法规的影响,因为这些预测是基于全球对晶圆的需求,而不是任何特定的地理分布。
三星电子通过组织重组,将DS部门的制造和技术组织分离为存储器部门的制造和技术以及代工部门的制造和技术,以提升竞争力和专注度。
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展望后市,南亚科技认为,第四季度营运状况应会较第三季度持平或稍好,离损益两平仍有一些距离,但应该差距不大。
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设备投资的增长遍布多个地区,这些地区都希望加强其芯片制造生态系统,其中北美同比增长最大,中国继续在支出方面处于领先地位。
三星电子和 SK海力士之间的合作正处于早期阶段,正在进行向JEDEC注册标准化的初步工作。关于每个待标准化项目的适当规范的讨论正在进行中。
近日,第十二届中国技术市场协会金桥奖揭晓,佰维存储董事长孙成思荣获二等奖。
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此次交易预计认列处分投资利益约44亿元新台币,这笔资金将优先投入台湾总部的研发项目,进一步强化群联在NAND产业的布局;此次股权调整不会影响群联与宏芯宇公司的合作基础,双方将继续携手推动中国市场拓展,为储存产业带来更多突破。
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佰维特存立足先进存储技术,聚焦客户需求,不断创新与突破。从介质特性研究、硬件设计、固件算法开发、测试验证、存储芯片先进封测到稳定供应链、全周期客户服务,构建起全方位的存储解决方案体系,打造高可靠性,高稳定性的全品类工业级存储产品。
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IFR将管制“Memory bandwidth density”大于2GB/s/mm²的HBM。当前生产的所有HBM都超过了此阈值。即对于目前几乎所有现行生产的HBM,均不能出口到中国。
1-10月,规模以上电子信息制造业增加值同比增长12.6%,增速分别比同期工业、高技术制造业高6.8个和3.5个百分点。10月份,规模以上电子信息制造业增加值同比增长10.5%。
受惠于用于人工智能服务器和企业固态硬盘 (SSD) 的高性能内存芯片的出口呈现强劲增长,11月韩国半导体出口额同比增长30.8%,为125亿美元,创下历年同期最高纪录,连续13个月保持增势,连续第四个月创下纪录。