近日,得一微电子(YEESTOR)发布集成AI-MemoryX技术的显存扩展解决方案。该方案依托自研存储控制芯片和AI存储系统级创新,显著提升单机的显存容量,让32B、70B、110B、671B等DeepSeek系列大模型实现单机微调训练,为AI大模型的微调训练提供功能强大且经济实惠的解决方案。
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16Gb DDR5产品可提供高达 9200MT/s 的速度能力,与前代产品相比,速度提高了 15%,功耗降低了 20% 以上。
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本届峰会齐聚全球存储产业链及核心应用企业,共同探讨技术和产品创新如何为客户创造更大价值,以“价值”为导向实现存储产业链的重塑、推动产业的升级。峰会现场各家厂商还将展现各自领先产品与技术,还有AI PC等最新产品展示,敬请期待!
ePOP4x产品将eMMC和LPDDR4x集成于一体,提供32GB+16Gb和64GB+16Gb的市场主流容量组合,实现了Flash与DRAM的二合一,并采用性能更强的控制器,支持LDPC纠错,满足不同智能穿戴设备对于存储空间和运行内存的多样化需求。
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通过采用这一独特的高速技术,两家公司预计新型3D闪存接口速度将较其正在量产的第8代产品提升33%,达到4.8Gb/s的接口速率。
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至于需求表现疲弱的NAND Flash市场,预计年底将出现复苏。郭鲁正表示:“我认为情况很快就会好转,因为整个行业都在努力稳定市场。”
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美光科技推出 Micron 4600 PCIe ® Gen5 NVMe ™ SSD,这是一款面向 OEM 的创新型客户端存储驱动器,采用Micron ® G9 TLC NAND,是美光首款 Gen5 客户端 SSD,性能是其前代产品的两倍。
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兼容英特尔酷睿 Ultra、第 14 代酷睿 CPU 以及 AMD 锐龙 8000 系列及更新的 CPU,支持 Intel XMP 3.0 和 AMD EXPO。默认速度为 5600MHz,时序 46-45-45,符合行业标准 DDR5 UDIMM 布局(288 pin)。
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随着京元电子封装业务的结束,将为其他同业(如日月光、安靠、长电科技等)创造新的市场机遇。但同时,京元电子此次的战略调整无疑也给半导体行业敲响了警钟,凸显出在快速变化的行业环境中,企业转型升级的紧迫性与重要性。
近日,佰维存储荣获新华三集团颁发的“优秀供应商”荣誉,这一奖项不仅是客户对佰维产品品质与供应能力的认可,也体现了佰维在数据通信领域的卓越解决方案研发能力与实践经验。
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在西部数据近日举办的投资者日上,SanDisk展示了其最新研发的高带宽闪存(HBF),这是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构,结合了3D NAND闪存和高带宽存储器(HBM)的特性,旨在满足大规模 AI 模型的存储和推理需求。
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作为Arm的首批主要客户之一,Meta计划Arm芯片取代现有的英特尔和AMD服务器芯片。
据韩国科学技术信息通信部最新ICT进出口统计数据显示,1月份ICT出口额初步核算为162.9亿美元,进口额为134.5亿美元,贸易差额为28.3亿美元。
据外媒报道,特朗普政府正寻求重新谈判美国政府根据《芯片法案》原本应向美国投资公司支付的补贴,部分相关补贴的发放有可能被推迟。
近日,佰维存储SP406/416系列企业级PCIe 4.0 SSD、SS621系列企业级SATA SSD,与联想服务器完成相互兼容性测试并取得认证。
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