与传统的焊接式 LPDDR 解决方案不同，SOCAMM2 无需对主板进行任何修改即可轻松升级或更换内存，从而最大限度地减少停机时间并显著降低总体拥有成本 (TCO)。
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在智能游戏/办公掌机领域，GPD(GamePad Digital)品牌始终是创新、个性化极致体验的代名词。其最新力作——GPD WIN 5，不仅以强悍性能刷新了“掌机生产力”的上限，更通过率先采用佰维 Mini SSD，为用户带来极速加载、自由扩容、可靠随行的数据存储体验。
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佰维ePOP5x以超小体积、高效能与高可靠优势，为移动智能终端打造“小而强”存储方案，让轻薄设备也能释放澎湃AI能力！
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技术团队表示：“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比，推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计，其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”
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目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。
三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。
铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列，采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存，PCIe Gen5x4接口，顺序读取速度高达 10,000 MB/s，写入速度高达 9,600 MB/s，容量最高可达 2TB。
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今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。
铠侠宣布，其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。
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此外，ASML已启动更先进的Hyper NA技术研发，为下一个十年的芯片制造铺路。
展望2026财年第一季度（2025年11月-2026年1月），博通营收预计将达到191亿美元，同比增长28%，高于分析师平均预期的183亿美元。
半导体作为韩国主要出口产品，12月前10天出口额同比激增45.9%，达52.7亿美元，占出口总额的 25.6%，比上年增长5个百分点，引领了整体出口增长。
群联目前仍握有成本相对较低的库存，将成为未来出货与获利扩增的基础。随着AI带动云端存储量急增，而NAND原厂扩产依旧保守，供需紧俏将持续支撑报价与营运表现。
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据日媒报道称，为抢攻AI数据中心需求，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash，其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层。
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据知情人士透露，SK海力士现在决定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时，大幅增加了HBM3E的产量，远超预期。
投资近130亿美元，SK海力士兴建全新先进封装工厂P&T7
嵌入式LPDDR4X价格全面大幅上涨，存储现货市场整体多以接单谨慎、按单谈价为主
本周行业SSD和渠道SSD、内存条价格上涨，部分行业PC客户正逐渐接受新季度报价
本周存储成品端现货价格维持高位盘整，部分Flash Wafer及DDR颗粒价格上调