连拍写入速度高达 1500MB/s ,读取速度高达 1700MB/s。提供320 GB、640 GB两种容量选择。
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据韩媒报道,机构预计三星电子第三季度销售额和营业利润分别为67.3万亿韩元和1.8万亿韩元。环比二季度60.01万亿韩元的销售额和0.67万亿韩元的营业利润显著改善,但存储产品减产带来的固定成本负担的影响预计将大于预期。
据悉,可能是产品转换问题,抑或是苹果出价太低,导致162层NAND不符合整体成本控制,苹果才转变策略。
三星电子正致力于提高其最新NAND V8(236 层)的产能和良率。据悉V8产品在生产之初良率并不好,但良率正在逐渐提高。业界估计,三星电子的V8 NAND良率,基于高等级(A级和B级),今年上半年低于50%,但目前已升至60%的范围。
谷歌年初时就宣布将裁员12,000 人,将影响到约6%的全职员工,波及旗下各大部门,也包括谷歌的招聘部门。
白皮书显示,SK 海力士的 DDR5 功耗比 DDR4 低 14.4%,而第四代英特尔®至强®可扩展处理器的性能效率是上一代的 2.9 倍。在采用 Xeon 的服务器中,DDR5 实现了每瓦性能的提高,与 DDR4 相比,整数计算提高了1.22 倍,浮点计算提高了 1.11 倍。
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刘德音说,亚利桑那州晶圆厂是台积电第一次尝试在海外建造超大晶圆厂,台积电从3年前开始这项项目,这是一个学习的过程,这也是美国第一个如此大规模的晶圆厂。
由于全球市场DRAM价格下跌,占所有ICT出货量近一半的半导体出口同比下降 21.1%至75亿美元。
ARM昨日正式宣布重新上市,以集资额 48.7亿美元成为今年最大IPO,公司市值达545亿美元。
得一微电子多年来深耕存储,旗下系列高可靠车规eMMC存储器,专为汽车行业打造。产品皆搭载得一微自研的主控芯片,支持eMMC 5.1数据传输模式,具有优秀的读写性能和迅捷的响应速度,已通过国际汽车电子协会AEC-Q100 Grade 2的车规测试验证。
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据悉,三星旗下DS部门的先进封装业务团队已经开始研发将FO-PLP先进封装技术用于2.5D 的芯片封装上。通过这项技术,三星预计可将SoC和HBM整合到硅中介层上,进一步构建其成为一个完整的芯片。
Solidigm D5-P5430为主流和读取密集型业务提供了优化支持,整体成本降低27%以上,存储密度提高1.5倍,能耗降低18%,可以直接替代TLC PCIe SSD的产品,与传统的TLC SSD相比,Solidigm D5-P5430可以带来高达14%的写入寿命提升。
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新加坡无法涉足所有半导体产业领域,也可能无法涉及高端半导体领域,但在专用芯片领域仍拥有竞争优势及实力。
台积电目前正在日本九州兴建的晶圆厂,有望于2024年开始生产成熟制程芯片。台积电称其海外扩张取决于客户需求、政府支持程度和成本考量等因素。
性能方面,顺序读写速度最高可达5000MB/秒、4000MB/秒,1TB 和 2TB型号顺序读取最高可达5,150 MB/秒,随机读写最高可达460K IOPS、800K IOPS。
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