针对近日Windows 11累计更新 KB5063878和KB5062660在写入大量文件时导致SSD故障,群联发布最新声明。
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截至2025年上半年末,三星半导体暨设备解决方案(DS)部门的库存资产约27.8万亿韩元,较2024年底的29.6万亿韩元,减少约1.8万亿韩元;与2024年同期32.3万亿韩元相比,大幅减少4.5万亿韩元。
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三星电子V10 NAND拥有超过400层的高堆叠层数。当NAND被堆叠成多层时,连接存储单元(Cell)的通道孔必须比以往深得多。也就是说,通道孔的纵横比(深宽比)急剧增加,需要新技术来应对。这正是三星电子计划在第10代NAND中引入极低温蚀刻的原因。
今年上半年,包括美国销售子公司在内的美国客户销售额达到27.8344万亿韩元(约合200.9亿美元),占总销售额(约33.9万亿韩元)的69.8%。
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三星对华出口产品多数为半导体,具体包括LPDDR、NAND、图像传感器、显示器驱动芯片等用于移动终端的产品和HBM2、HBM2E等部分高带宽存储器产品。三星电子同期对美出口额为33.4759万亿韩元,超过对华出口。
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8月13日,贵州永吉印务股份有限公司(以下简称“永吉印务”)发布重大资产重组停牌公告称,拟收购存储主控芯片厂商南京特纳飞电子技术有限公司(以下简称“特纳飞”)的控制权。
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截至2025年第二季度底,群联存货金额合计为290.89亿元,存货以应用于Non-Retail市场为大宗。该季平均存货周转天数 221日,低于前季的253日,也低于去年同期的235日。
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2025年1—6月,佰维存储实现营业收入39.12亿元,同比增长13.70%;其中二季度股份支付6958.64万元,剔除股份支付费用后,二季度归属于上市公司股东的净利润为4128.84万元。得益于公司重点项目逐步交付,公司在第二季度经营情况显著改善,二季度销售毛利率环比增长11.7个百分点,其中6月单月销售毛利率已回升至18.61%。
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具体来说,三星正在寻找能够为先进HBM设计新架构的封装开发专家,而产品规划人员则负责与对定制HBM感兴趣的客户进行沟通。
Rubin被定位为Blackwell架构的下一代产品,采用HBM4高带宽内存,搭载第六代NVLink互连总线,实现3.6TB/s的超高带宽。
佰维存储公告透露,股东国家集成电路基金二期出于自身经营管理需求,拟通过大宗交易方式减持公司股份。此次减持数量合计不超过922.53万股,不超过公司股份总数的2.00%。
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需求面来看,受总体不确定与部分消费性产品提前拉货影响,终端仍偏保守;但在DDR4停产的外溢效应与DDR5放量带动下,其存储封测业务维持相对稳健,动能明显优于驱动IC。
按出口品目看,半导体出口额同比增加31.2%,连续四个月创新高;通信设备增加4.6%;显示器下降8.9%;手机下降21.7%;计算机及周边设备下降17.1%。
FADU表示,目前正与美国超大规模数据中心运营商合作,部分基于第五代技术的项目预计将在年内产生销售额。
美光称,业绩预测上调主要得益于数据中心、PC和移动市场DDR5和LPDDR5价格的上涨。HBM晶圆与DDR5晶圆的供应比例约为3比1,这给非HBM市场的供应带来了压力。
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