JESD328 预计将支持完整的 LPDDR5X 数据速率,即在平台信号完整性允许的情况下达到每引脚 9.6 Gb/s,数据传输速度高达9,600 MT/s,高于SOCAMM 1的8,533 MT/s。LPDDR5/5X 内存设备的使用降低了系统能耗和冷却要求,这是高效处理大数据的关键特性。

朱宪国指出,AI带动HBM等高阶存储产品需求强劲,使晶圆厂将产能转向HBM等高阶产品,排挤利基型DRAM产能,带动价格走扬;SLC NAND在韩厂减产下,第三季也有涨价;NOR Flash受惠AIoT应用需求增加,带动需求,价格同步上扬。

为了构建下一代数据中心,Arm还推出了一项新的“全面设计”计划。该计划支持企业基于 Arm IP快速开发定制半导体 (ASIC)。

《TIME》评价指出,佰维Mini SSD成功打破了性能与便携性之间的壁垒,是应对“设备日益轻薄、数据持续激增”这一行业挑战的典范之作,为AI终端生态的发展提供了关键支撑。

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目前,江波龙这项创新产品已完成开发、测试,并申请了国内外相关技术专利,处于量产爬坡阶段。

焦佑钧进一步分析,市场的热点仍在AI,DDR4只是落后指标,真正要观察的是AI需求热潮能延续多久。因现阶段三大原厂都在全力满足AI相关需求,这股热潮造成的产能排挤效应,让一般应用市场供应吃紧,但最终仍会回归供需平衡。

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近日,在2025开放数据中心大会(简称“ODCC”)举办期间,由佰维存储主导并牵头制定的三大企业级存储行业标准分别荣获ODCC 2025年度杰出成果奖与优秀成果奖

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近日,德明利正式加入OpenCloudOS操作系统开源社区,并完成德明利TS3160系列企业级SATA SSD产品与OpenCloudOS、腾讯云相互兼容认证。测试认证期间整体运行稳定,在功能、性能及兼容性等方面均表现卓越。

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基于这一良率提升,三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂(P4)目前正在安装半导体设备,将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

据CFM闪存市场最新报价,1Tb QLC 涨 9.09% 至 $6.00,1Tb TLC 涨 8.06% 至 $6.70,512Gb TLC 涨 10.53% 至 $4.20,256Gb TLC 涨 6.25% 至 $3.40。

陈立白称,以前抢货的对手是同行,现在抢产能的对手是CSP大厂,而且CSP业者口袋又深,需求又很大,而且这些订单是刚需自用,并不是重复下单转卖到市场。

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有供应链高层透露,此举并非简单的产能搬迁,而是一次涉及物料清单(BOM)层面的“激进”调整。

HBM4E拥有2048个引脚用于数据传输,换算成字节即可达到3.25TB/s。此外,三星电子表示,HBM4E的能效将是目前HBM3E的两倍以上。

多因素驱动下,四季度原厂将对Mobile NAND及LPDDR5X等产品进行调涨价格。而存储芯片这一关键硬件涨价带来的成本压力,在近期发布的部分旗舰手机定价上已有所体现。

据韩媒报道,FnGuide预估,SK海力士第三季度营收预期(分析师平均预测)为24.48万亿韩元,营业利润预计为11.15万亿韩元,分别比去年同期增长了39.3%和58.6%,将创下其有史以来最高的季度业绩。

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