刘德音说,亚利桑那州晶圆厂是台积电第一次尝试在海外建造超大晶圆厂,台积电从3年前开始这项项目,这是一个学习的过程,这也是美国第一个如此大规模的晶圆厂。
由于全球市场DRAM价格下跌,占所有ICT出货量近一半的半导体出口同比下降 21.1%至75亿美元。
ARM昨日正式宣布重新上市,以集资额 48.7亿美元成为今年最大IPO,公司市值达545亿美元。
得一微电子多年来深耕存储,旗下系列高可靠车规eMMC存储器,专为汽车行业打造。产品皆搭载得一微自研的主控芯片,支持eMMC 5.1数据传输模式,具有优秀的读写性能和迅捷的响应速度,已通过国际汽车电子协会AEC-Q100 Grade 2的车规测试验证。
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据悉,三星旗下DS部门的先进封装业务团队已经开始研发将FO-PLP先进封装技术用于2.5D 的芯片封装上。通过这项技术,三星预计可将SoC和HBM整合到硅中介层上,进一步构建其成为一个完整的芯片。
Solidigm D5-P5430为主流和读取密集型业务提供了优化支持,整体成本降低27%以上,存储密度提高1.5倍,能耗降低18%,可以直接替代TLC PCIe SSD的产品,与传统的TLC SSD相比,Solidigm D5-P5430可以带来高达14%的写入寿命提升。
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新加坡无法涉足所有半导体产业领域,也可能无法涉及高端半导体领域,但在专用芯片领域仍拥有竞争优势及实力。
台积电目前正在日本九州兴建的晶圆厂,有望于2024年开始生产成熟制程芯片。台积电称其海外扩张取决于客户需求、政府支持程度和成本考量等因素。
性能方面,顺序读写速度最高可达5000MB/秒、4000MB/秒,1TB 和 2TB型号顺序读取最高可达5,150 MB/秒,随机读写最高可达460K IOPS、800K IOPS。
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报道称,今年下半年,随着NAND减产规模不断扩大,韩国材料企业销量下滑也是理所当然的。在NAND需求恢复之前,销售很难反弹。
具体而言,DRAM 投资预计将同比下降19%,至 2023 年为110亿美元,但2024年将恢复至150亿美元,预计将增长40%;NAND支出2023年将减少 67%,至60亿美元,但到2024年将飙升113%,达到121亿美元。
据台媒报道,台积电于12日临时董事会中通过决议投资Arm与IMS,天风国际证券分析师郭明錤认为,台积电这两笔投资主要目的为提高垂直整合能力,以确保从目前3nm的FinFET 技术能顺利转换到2nm的GAA技术。
汽车业景气似乎依旧强劲、AI云端似乎还是很旺,工业需求持稳,但任何与消费者相关的需求仍然疲软。
最新的 Viper Xtreme 5 型号将于 2023 年 9 月正式发布。
据韩媒报道,三星、SK海力士为了掌握快速成长的HBM市场,将大幅革新新一代产品制程技术,预计2026年量产新一代HBM产品,HBM4。