除了定制芯片设计方面的进展之外,存储器市场也正在发生重大变化。SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4),三星电子HBM4流片工作预计已于2024年第四季度开始,目标在今年6月之前完成12层HBM4量产的准备工作。

Cordano将直接向美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 汇报。

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SK海力士将于今年下半年开始量产第六代HBM(HBM4),从而引领专为客户各种需求定制(Customized)的HBM产品市场。

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三星电子联席CEO兼副主席韩钟熙和全永铉在联合新年致辞中分享了他们对公司的愿景,重点追求“超级差距技术”,以在人工智能时代保持竞争优势。

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即使在第四季度通用内存价格下跌的情况下,受益于DDR 和HBM芯片等高价值产品的出口比例提升,推动整体出口上扬。

强一股份成立于2015年8月,是一家专注于服务半导体设计与制造的高新技术企业,聚焦晶圆测试核心硬件探针卡的研发、设计、生产与销售,致力于协助客户降低制造成本、提高产品良率。

适逢元旦假期,按照国家节假日规定,放假1天,即2025年1月1日放假。放假期间,停止所有产品报价,1月2日(周四)恢复所有产品报价。

德明利新一代SATA SSD主控芯片TW6501,通过重构研发管理模式和研发项目流程,采用先进的DSTE-IPD模式,显著提升了公司开发大型复杂科技项目的能力。

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此资本支出规划最主要为客户对AI及高效能运算(HPC)芯片测试需求的大幅增长,加速扩充产能,以满足客户产品即时上市的需求。

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凭借在车规存储领域的卓越创新和对产业发展的积极推动,得一微电子(YEESTOR)荣选为联盟副理事长单位,并被授予“2024年度突出贡献单位”称号。

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品安透露,为应对DRAM产业起伏不定,与物价通膨趋势等非预期事件冲击,拟定最符合未来价值需求竞争策略,将调降DRAM生产比重,朝向跨足多重领域,提高非DRAM营收,分散经营风险,转型多元制造智能工厂。

业界认为,三星电子的产品开发策略发生了变化,经过最新的组织及人事调整后,三星电子正在积极鼓励技术发展。在DRAM领域,三星电子正在开发4F² VCT DRAM和3D DRAM等多种技术,以应对下一代DRAM市场,1e DRAM也是其中之一。

该产品有望降低各种应用的功耗,例如人工智能、后5G通信系统和物联网产品。同时也适用于内存级存储(SCM)技术,以及适配高密度和高性能的新型3D NAND FLASH。

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近日,开放数据中心委员会2024冬季全会在昆明圆满召开,佰维存储作为ODCC新晋白金供应商会员,与众多会员单位专家深入探讨交流数据中心最新成果和技术趋势,共同致力于建设更加开放的数据中心平台。

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数据中心投资一旦放缓,AI智能手机需求可能有助于保护半导体产业的部分领域免受严重衰退冲击,AI手机一旦出现杀手级应用、换机潮可能会大量涌现。

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