目前三星12层HBM3E产品已基本通过英伟达的DRAM单芯片认证,现阶段正在进行成品认证程序。三星原本预计6~7月完成认证,但消息称三星设定的最新目标是在今年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。

慕尼黑设计中心将于2025年第三季度开放,该中心旨在支持欧洲客户设计高密度、高性能且高能效的芯片,主要面向汽车、工业、人工智能和物联网领域的应用。

据SEMI最新报告,随着半导体前端及后端制程投资扩大,带动设备市场增长,2024年全球半导体制造设备投资额达1171亿美元,比上年增长10%。

订单能见度大多集中至7月9日川普关税宽限期结束前,后续则尚未明朗。

根据三星HBM产品规划,计划采用1c DRAM作为HBM4核心芯片。目前三星已与多家客户合作,开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。HBM4 的开发细节如期进行,计划于今年下半年实现量产。

时创意步入到第四个五年的“创品”阶段。在研发投入方面,企业成立至今,时创意固定资产/研发投入累计已近15亿元;2025年各项人才发展关键指标逐步提升,技术研发人才占比提升至35%。

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双方股票自5月26日起停牌,预计停牌不超过10个交易日。若相关工作顺利推进,将实现产业链相互补充,进一步促进信息产业龙头企业发展,对信息产业格局产生较大影响。

佰维存储在COMPUTEX 2025展示了其涵盖消费级、嵌入式存储在内的多元化产品矩阵,全面展现其面向AI时代的技术创新能力和全球化品牌运营实力。

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SK海力士此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时,成功产品厚度从1mm减薄至0.85mm,使其能够适配超薄智能手机。

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德明利通过端侧适配方案、全栈技术整合及全球化布局,展现存储技术的革新力量。

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鉴于存储原厂相继发布DDR4 EOL通知,近期现货DDR4价格剧烈波动,为更好地反映市场情况,CFM闪存市场于5月20日加更服务器RDIMM价格

5 月 16 日,扬州康盈半导体产业园开业仪式盛大举行,标志着其存储模组智造基地正式投入使用,康盈半导体的存储产业战略布局由此迈出坚实一步,存储产品制造实力得到进一步夯实。

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CM9系列的核心是铠侠第八代BiCS FLASH™,为铠侠迄今为止最先进的3D闪存,采用基于CBA的架构,显著提升NAND接口速度、密度和功率效率,并降低了延迟,从而直接提升 SSD 性能。

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作为应用材料最大的海外市场,2QFY25中国大陆市场营收占比从2024会计年度同期43%降至25%。应用材料CEO Gary Dickerson表示,市场不确定性显著加剧,公司仍展现出强劲的运营韧性。

SK海力士财务报告显示,第一季度其美国市场总营收为12.8万亿韩元,占该司Q1总营收17.6万亿韩元的72.7%。去年同期其美国市场销售额为6.3万亿韩元,占同期总营收的50%。

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