业界认为,三星电子的产品开发策略发生了变化,经过最新的组织及人事调整后,三星电子正在积极鼓励技术发展。在DRAM领域,三星电子正在开发4F² VCT DRAM和3D DRAM等多种技术,以应对下一代DRAM市场,1e DRAM也是其中之一。
该产品有望降低各种应用的功耗,例如人工智能、后5G通信系统和物联网产品。同时也适用于内存级存储(SCM)技术,以及适配高密度和高性能的新型3D NAND FLASH。
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近日,开放数据中心委员会2024冬季全会在昆明圆满召开,佰维存储作为ODCC新晋白金供应商会员,与众多会员单位专家深入探讨交流数据中心最新成果和技术趋势,共同致力于建设更加开放的数据中心平台。
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数据中心投资一旦放缓,AI智能手机需求可能有助于保护半导体产业的部分领域免受严重衰退冲击,AI手机一旦出现杀手级应用、换机潮可能会大量涌现。
消息称,三星已尝试退回根据此前政策购买的设备,购买设备用于建设封装线,但设备正在根据最新审查政策再次审查,最终的方向是推动多元化。
2024年下半年,德明利充分利用自身在芯片设计领域的专长能力,推出了全新一代SATA接口SSD存储控制芯片TW6501,实现关键IP与技术平台的高度自研集成,逐步形成“自主研发-市场反馈-产品迭代-生态建设”良性闭环发展,构建起一套完整且高效的技术体系,目前已成功完成客户导入并实现量产。
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明年将投资179亿韩元用于PIM人工智能半导体。计划在3-4年内支持PIM计算结构应用的内存接口·商用平台技术开发、基于PIM的计算机系统用SCM控制半导体技术开发、基于PRAM、MRAM的PIM制造的商用技术等。每个项目每年将获得约10亿韩元左右的资金。
顺序读取速度最高可达14,000MB/s,顺序写入速度最高可达12,500MB/s,接近PCIe 5.0协议的理论上限,大幅缩短大型视频素材与3D模型文件的导入及导出时间。
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SK海力士正在加快下一代HBM产品开发和生产的尝试,为了响应随着NVIDIA 等客户的 AI 加速器开发周期加快而加速新 HBM 产品供应的要求。HBM3E 16层很可能配备NVIDIA 最新 AI 加速器“ Blackwell”的下一版本。
截至2024年11月,韩国出口连续14个月实现增长。但过去四个月增速有所放缓,从8月的10.9%降至11月的仅1.4%。
三星电子从美国获得的补贴金额少于此前确认的英特尔(78.65亿美元)、台积电(66亿美元)和美光(61.65亿美元)的金额。考虑到三星电子的投资计划出现了一些变化,补贴与投资的比例仍然较高。
美国商务部宣布向SK海力士提供4.58亿美元的直接资助,这一金额比此前初步交易备忘录(PMT)中披露的4.5亿美元增加了800万美元。此外,CHIPS项目办公室还将向SK海力士提供5亿美元的贷款。
英特尔将要求竞购方在接近1月底前提交正式的竞购方案。当然,在此过程中也可能出现其他竞标者,或者竞标无疾而终。
亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此,三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务,这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。
此次合作将结合南亚科技的10纳米级DRAM创新与PieceMakers在定制DRAM设计方面的专业知识,开发高价值、高性能、低功耗的定制超高带宽内存解决方案。
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