英特尔宣布多项人事任命,销售高管Greg Ernst被任命为首席营收官 (Chief Revenue Officer),Srinivasan Iyengar、Jean-Didier Allegrucci和Shailendra Desai将加入英特尔,担任重要工程领导职位。

截至目前,摩尔线程已完成多轮融资,累计融资金额超45亿元,投资方包括红杉中国、深创投、中移和创、策源资本、腾讯投资、字节跳动战略投资部等。

目前亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。除Marvell外,博通也已确认与三大云公司合作开发定制AI芯片,凸显数据中心对专用半导体解决方案的需求不断增长。

据业界消息,前联发科共同营运长朱尚祖将加入慧荣科技,7月正式就任。

Marvell表示,定制SRAM在同等密度下,功耗比标准片上SRAM低约66%,工作频率最高可达3.75GHz。

兆芯集成拟通过IPO拟募资约41.69亿元,本次募集资金扣除发行费用后,将投资于“新一代服务器处理器项目”“新一代桌面处理器项目”“先进工艺处理器研发项目”以及“研发中心项目”。

继AMD日前于发布会上宣布其新款AI加速器MI350X和MI355X已搭载三星电子的12层HBM3E后,据韩媒报道,三星电子已完成博通HBM3E 8层认证测试,并正在为量产做准备。

上海超硅拥有设计产能70万片/月的300mm半导体硅片生产线以及设计产能40万片/月的200mm半导体硅片生产线,旗下产品已量产应用于先进制程芯片,包括NAND Flash/DRAM(含HBM)/NOR Flash等存储芯片、逻辑芯片等。

2025年6月16日,江波龙与全球知名的存储解决方案提供商Sandisk(闪迪)在中山存储产业园签署合作备忘录(Binding MOU)。此次合作将深度整合双方优势资源,为客户带来高品质的UFS存储解决方案,助力客户推出市场差异化产品。

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据韩媒thebell报道,SK海力士计划推迟对10nm级第六代DRAM(1c DRAM)的投资,目的是专注于需求可见度高、盈利能力强的高带宽存储器(HBM)的生产。

从HBM5开始,冷却技术将成为关键,通过3D异构集成和先进封装技术,将部分基础芯片(Base Die)移至HBM顶部。

在完成第二座爱达荷州晶圆厂建设后,美光计划将先进的HBM封装能力引入美国。

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据悉三星电子将从第五代HBM"HBM3E"开始应用飞秒激光。但由于设备刚启动导入,实际目标产品更可能是第六代"HBM4"。

英韧科技推出的PCIe 5.0 SSD——洞庭-N3(Dongting-N3)系列,凭借其卓越的性能、超低延迟与高可靠性,全面满足AI大模型在训练过程中的严苛需求,为数据中心提供高效、稳定的存储支持。

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未来,美光将仅向汽车、工业和通信三大应用领域的长期客户供应DDR4/LPDDR4X产品。

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