美国政府4月13日宣布对半导体行业展开国家安全贸易调查。据外媒报道,美国商务部长卢特尼克27日表示,将在两周内公布该调查结果。
江波龙NFC PSSD技术已经率先在旗下国际高端消费品牌Lexar实现产品化并将逐步推向市场,外观延续雷克沙家族设计语言,支持Windows、macOS、Android、iOS全平台,未来有望在主要电商及线下零售渠道陆续与消费者见面。
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闪迪提出的HBF(高带宽闪存)是一种专为 AI 领域设计的新型存储器架构,结合了3D NAND闪存和高带宽存储器(HBM)的特性,旨在满足大规模 AI 模型的存储和推理需求。
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宇瞻看好,随着AI 产业持续火热,有助带动存储需求,包括服务器DDR5与企业SSD 的升级,也有助DRAM 与NAND市况。
2025年6月底,aigo宣布其U330高速U盘全球累计销量突破1000万,成为该品牌首款达到千万级销量的存储产品。
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据业界消息,三星电子、SK海力士、美光均已完成DDR6规格的初期原型开发,正与英特尔、AMD、英伟达等CPU/GPU厂商共同推进平台验证。当前目标性能为8800MT/s,后续计划提升至17600MT/s,达到现行DDR5最高速度(约8000MT/s)的两倍以上。
三星原本计划在今年下半年实现量产,但内部采取了谨慎态度,将量产准备批准(PRA)期限设定在第四季度。根据在研发工厂进行的小规模样品测试,1c DRAM的良率已达到65%。
全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 采用基于第五代 BiCS FLASH™ 技术和先进CMOS工艺的 120 层堆叠工艺开发而成,与铠侠现有的512Gb BiCS FLASH™ 产品相比,性能有显著提升。
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陈立武表示,英特尔将不再执行「先建厂再找客户」的策略,不相信只要盖好工厂,客户就会自己出现。他支出,此前激进、大举扩张的策略,导致厂区分散、产能闲置,并强调未来将依据客户实际下单情况来决定是否扩建产能,所有投资将回归经济效益,不再「乱开空白支票」。
作为AMD官方合作伙伴,江波龙企业级BG系列 DDR5 RDIMM率先通过该平台严苛兼容性测试,并被指定为官方工作站内存配置。
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就NAND闪存业务领域,SK海力士将持续响应需求秉持谨慎的投资基调,实施以盈利为导向的运营策略,也将推进应对今后市场情况改善的产品开发。
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此次扩产将最大限度保留该厂的NAND闪存产能,将通过产线重组、压缩设备间距等方式优化空间利用率。此次扩建预计与清州M15X工厂的年底竣工计划同步推进。据悉,SK海力士已向部分半导体设备企业下达后工序设备采购订单。
三星电子将在 16 层第 7 代 HBM“HBM4E”中同时采用 TC 键合和混合键合,并将从20层第 8 代“HBM5”开始全面应用于量产。
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基于其新推出的航空航天产品组合,美光计划在未来一年及以后推出更多适合太空的内存和存储解决方案,以满足下一代太空任务不断变化的需求。
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此外,闪迪还拟更换主控和NAND闪存芯片,预计今年80%的SSD产品都将升级为BiCS8 3D FLASH,标志着闪迪品牌将全面主导产品技术路线。
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